微弧氧化技术的发展
微弧氧化技术是北京师范大学核科学与技术学院(低能核物理研究所)(北京市辐射中心)1992年起开发的科研课题,先后得到国家教委、国家九五863高技术研究发展计划、国家自然科学基jin的大力支持。1997-1998年完成国家“863”计划项目“等离子体微弧氧化表面改性技术”,1997年12月“铝合金微弧氧化技术”通过国家教委和863组的联合鉴定。2002年微弧氧化设备获得国家重点新产品证书,2004年微弧氧化双极性大功率脉冲电源获得发明。





微弧氧化工艺的整流电源特点:
操作方式:本控远控操作模式可选择;
输出控制方式:直流、单极脉冲或双极脉冲输出控制模式可选择
恒流恒压、恒功率三种控制模式可选择
软启动时间:软启动工作时间可在0-2005范围内整定
整流方式:IGBT逆变软开关整流,PWM脉冲步调制IGBT斩波
脉冲步调频率范围:1000-8000Hz;
人机操作界面:PLC彩色触摸屏
主控制器:微弧氧化电源DSP微机数字触发控制,PWM脉宽调节控制,脉冲移相分辨率≤1μ。
微弧氧化时间对表莫粗糙度的影响
微弧氧化陶瓷膜的表面粗糙度随着氧化时间的延长近似呈线性增长。这是由于氧化膜的表面粗糙度与膜层的厚度有直接关系,而膜层的增厚过程是在极高的能量条件下陶瓷膜的重复击穿过程。在氧化初期,作用在膜层上的能量较低,产生的熔融物颗粒较少,膜层的表面粗糙度较低;随着时间的延长,轻金属微弧氧化,膜层表面的能量密度逐渐增大,轻金属微弧氧化表面处理,熔融的氧化产物增多,并通过微孔喷射到表面。在电解液液淬作用下,氧化物冷却凝固,并发生多次击穿。在这种熔融、凝固、再熔融、再凝固的过程中,产生的氧化物颗粒黏附在陶瓷层表面的数量增多,轻金属微弧氧化电源,从而增大了膜层表面的粗糙度。另外,在成膜过程中同时存在氧化膜的溶解过程,轻金属微弧氧化技术,因此,若时间足够长,膜层在溶解过程中其表面粗糙度也会出现小幅度的下降。
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