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Flash 存储器的操作
对 Flash 存储器的操作一般是进行读、写和擦除。Flash 存储器的擦除必须是以1KB 为单位对齐的地址并哪一区块被擦除，或者全部擦除。
Flash 存储器的编程写入的地址必须以字(4 个字节)为单位对齐，且指明要写入的具体地址。也就是说可以是任意地址，但必须满足写入的地址是字对齐的。
Flash 存储器的读取也可以是任意地址的数据，存储器，但必须满足读取的地址是字对齐的，否则，读出的数据不正确，结果也难以预料。
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随着技术的发展，“只读”这个“传统”的概念有时是可以被一些新特性的器件颠覆的。比如下面这两种类型的ROM就可以使用适当的方法进行擦除或改写：
EPROM：与一般的ROM不同在于，进口200度存储器单价，它可用特殊的装置擦除或重写其中的内容。
FLASH：闪速存储器，是完全非易失的，可以在线写入，并且可以按页连续字节写入，读出速度快。
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FLASH存储器就如同其名字一样，写入前删除数据进行初始化。具体说就是从所有浮动栅中导出电子。即将有所数据归“1”。写入时只有数据为0时才进行写入，数据为1时则什么也不做。写入0时，向栅电极和漏极施加高电压，增加在源极和漏极之间传导的电子能量。这样一来，电子就会突破氧化膜绝缘体，进入浮动栅。
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