210度测井存储器
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从技术面观之，根据内存晶体管设计架构之不同可分为Cell Type以及Operation Type两种，后者依功能别又可区分为Code Flash（储存程序代码）以及Data Flash（储存一般数据）；其中Code Flash驱动方式有NOR及DINOR，而Data Flash的驱动方式则有NAND及AND。
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只读存储器的内容由可编程逻辑控制器制造商编写并固化。PLC断电后，ROM的内容不会丢失。用户只能阅读，不能重写。因此，ROM常用来存储系统程序，具有开机自检、键盘输入处理、用户程序翻译、信息传输、工作模式选择等功能。
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EEPROM在写新的数据前不需要先擦除，可以每次改写一个字节。这种灵活的擦写方式使得EEPROM在需要频繁更新数据的场景中具有优势。然而，EEPROM的读写速度相对较慢，且容量较小，价格较高。
Flash存储器在写新的数据前必须先擦除，只读存储器，而且经常是只允许整页擦除，没有办法擦除一个字节。这种成块的读写方式使得Flash存储器在写入大量数据时具有较高的效率。但需要注意的是，Flash存储器的擦除操作相对复杂，需要消耗较长的时间。
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