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随着技术的不断进步,EEPROM(Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory,电可擦除可编程只读存储器)来了,高温175度读写存储器容量,解决了ROM过去历史中存在一些问题。
早期的EEPROM: 早期的EEPROM的特点是可以随机访问和修改任何一个字节,可以往每个bit中写入0或者1,高温150度读写存储器介绍,现在基本以字节为单位了。
早期的EEPROM具有较高的可靠性,但是电路更复杂,其成本也更高,因此EEPROM的容量都很小,从几KB到几百KB不等。(有点类似前面说的因为工艺和制造成本的原因,RAM的容量也不大)。 如今的EEPROM支持连续多字节读写操作了,算是已经发展到很厉害的水平了。
200度存储器flash
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1989年,东芝公司发表了NAND flash结构,强调降低每比特的成本,读写存储器,更高的性能,并且像磁盘一样可以通过接口轻松升级。
NAND Flash没有采取内存的随机读取技术,它的读取是以一次读取一块的形式来进行的,通常是一次读取512个字节,采用这种技术的制作Flash的成本更廉价。
用户不能直接运行NAND Flash上的代码,因此好多使用NAND Flash的开发板除了使用NAND Flash以外,还做上了一块小的NOR Flash来运行启动代码。
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存储器的理解存储器是由简单的电子器件例如PMOS管、NMOS管进行组合形成逻辑上的与非或门,之后在此基础上,形成组合逻辑用于存储信息,例如R-S锁存器和门控D锁存器,进而进一步组合复杂化,形成我们所谓的寄存器、内存等用于存储信息的复杂结构。存储器的分类存储器分为易失性存储器和非易失性存储器;所谓易失性存储器是指设备掉电,存储的信息自动清除,而非易失性存储器具有存储时间长的功能。易失性存储器主要指RAM,而RAM分为动态RAM(DRAM)和静态RAM(SRAM)。SDRAM、DDR SDRAM、DDRⅡ
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