合肥启尔特石油科技有限公司新到一批150度、175度、200度、210度高温存储器 ,适用于石油测井勘探领域。存储器能做高温的厂家不多,150度常用的是25LC256系列,175度FLASH存储器可以做到4MB容量,200度和210度的都是TI公司eeprom存储器,容量较小,如有需要的客户,欢迎来电。
Flash 存储器的操作
对 Flash 存储器的操作一般是进行读、写和擦除。Flash 存储器的擦除必须是以1KB 为单位对齐的地址并哪一区块被擦除,或者全部擦除。
Flash 存储器的编程写入的地址必须以字(4 个字节)为单位对齐,且指明要写入的具体地址。也就是说可以是任意地址,但必须满足写入的地址是字对齐的。
Flash 存储器的读取也可以是任意地址的数据,但必须满足读取的地址是字对齐的,否则,读出的数据不正确,结果也难以预料。
210度测井存储器
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从技术面观之,读写存储器,根据内存晶体管设计架构之不同可分为Cell Type以及Operation Type两种,后者依功能别又可区分为Code Flash(储存程序代码)以及Data Flash(储存一般数据);其中Code Flash驱动方式有NOR及DINOR,而Data Flash的驱动方式则有NAND及AND。
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RAM随机存取存储器(Random Access Memory)
CPU根据RAM的地址将数据随机的写入或读出。电源切断后,所存数据全部丢失。按照集成电路内部结构不同,RAM又分为两类:
SRAM静态RAM(Static RAM)
静态RAM速度非常快,只要电源存在内容就不会消失。但他的基本存储电路是由6个MOS管组成1位。集成度较低,功耗也较大。一般高速缓冲存储器(Cache memory)用它组成。
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