210度进口存储器
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210度高温存储器
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EEPROM存储器原理
EEPROM存储器采用浮栅晶体管作为存储单元，通过向浮栅注入或移除电荷来改变晶体管的阈值电压，从而实现数据的存储。与传统ROM相比，EEPROM具有可擦除和可编程的特性，使得数据可以被修改。
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只读存储器的主要作用是完成对系统的加电自检、系统中各功能模块的初始化、系统的基本输入／输出的驱动程序及引导操作系统。
随机存储器是与CPU直接交换数据的内部存储器。它可以随时读写，而且速度很快，通常作为操作系统或其他正在运行中的程序的临时数据存储介质。
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根据Flash生产厂商，理论上闪存盘可擦写1，000，高温150度读写存储器容量，000次，折合正常使用次数计算，闪存盘里数据可保存约10年左右。
FLASH存储器在使用一段时间后，再次格式化，其容量会自动变小。
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