LED外延片-马鞍山杰生有限公司-LED外延片定制

LED芯片制造主要是为了制造有效可靠的低欧姆接触电极，并能满足可接触材料之间较为小的压降及提供焊线的压垫，同时尽可能的多地出光。

渡膜工艺一般用真空蒸镀方法，4Pa高真空下，LED外延片经销商，用电阻加热或电子束轰击加热方法使材料熔化，并在低气压下BZX79C18变成金属蒸气沉积在半导体材料表面。

一般所用的P型接触金属包括AuBe、AuZn等合金，N面的接触金属常采用AuGeNi合金。

镀膜后形成的合金层还需要通过光刻工艺将发光区尽可能多地露出来，使留下来的合金层能满足有效可靠的低欧姆接触电极及焊线压垫的要求。

光刻工序结束后还要通过合金化过程，合金化通常是在H2或N2的保护下进行。

合金化的时间和温度通常是根据半导体材料特性与合金炉形式等因素决定。

当然若是蓝绿等芯片电极工艺还要复杂，需增加钝化膜生长、等离子刻蚀工艺等。

在现阶段白光LED首要经过三种方法完成：

1、选用蓝光LED芯片和荧光粉，由蓝光和黄光两色互补得到白光或用蓝光LED芯片合作赤色和绿色荧光粉，LED外延片定制，由芯片宣布的蓝光、荧光粉宣布的红光和绿光三色混合取得白光;

2、使用紫外LED芯片宣布的近紫外激起三基色荧光粉得到白光。

3、选用红、绿、蓝三色LED组合发光即多芯片白光LED;

当前使用广泛的是第二种方法，LED外延片供应厂家，选用蓝光LED芯片和荧光粉，互补得到白光。因而，此种芯片进步LED的流明功率，决议于蓝光芯片的初始光通量及光保持率。

外延片的生长工艺有很多流程，需要很多高菁尖设备，生长出来的外延片直接决定了 LED 的波长、亮度、正向电压等主要的光电参数。外延片的生长基本原理是在一块加热至适当温度的衬底基片（主要有蓝宝石、SiC 碳化硅、Si 硅）上，气态物质 In Ga Al P(铟 家 铝 磷) 有控制的输送到衬底表面，LED外延片，生长出特定单晶薄膜。

目前主要的外延片衬底材料有蓝宝石、碳化硅和硅。不同的衬底材料有不同的光电特性，价格差别也很大。外延片制造过程如下：

先把晶棒切片，切片需要注意晶面的结晶方向、晶片的厚度、晶面的斜度和曲度；切片后为了防止晶片边缘碎裂、防止热应力集中以及增加外延层的平坦度 需要把晶边磨圆，然后还需要蚀刻(shí kè)，蚀刻的目的在于把前面机械加工所造成的损伤给去掉，蚀刻需要用到晶片研磨机；下一步需要将晶片置于炉管中施以惰性气体加热30分钟至一小时，再在空气中快速冷却，可以将所有氧杂质去除，这样晶片的电性（阻值）仅由载流子杂质来控制，从而稳定电阻，这一步需要使用到高温快速热处理设备；然后使用抛光机再给晶片抛光；再然后就是使用晶片清洗机来清洗晶片，用RCA溶液（双i氧水＋氨水或又氧水＋盐酸），将前面工序所形成的污染清除，蕞后在无尘环境中严格检查晶片表面的洁净度、平坦度确保符合规格要求，蕞后包装到特殊的容器中保存。