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eRAM、MRAM和OUM这三种存储器与传统的半导体存储器相比有许多突出的优点,其应用前景十分诱人。近年来,人们对它们的研究己取得了可喜的进展,尤其是FeRAM己实现了初步的商业应用。但它们要在实际应用上取得进一步重大突破,还有大量的研究工作要做。同时存储技术的发展是没有止境的,但是追求更高密度、更大带宽、更低功耗、更短延迟时间、更低成本和更高可靠性的目标永远不会改变。
原装150度存储器
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EEPROM在写新的数据前不需要先擦除,可以每次改写一个字节。这种灵活的擦写方式使得EEPROM在需要频繁更新数据的场景中具有优势。然而,EEPROM的读写速度相对较慢,且容量较小,可编程存储器,价格较高。
Flash存储器在写新的数据前必须先擦除,而且经常是只允许整页擦除,没有办法擦除一个字节。这种成块的读写方式使得Flash存储器在写入大量数据时具有较高的效率。但需要注意的是,Flash存储器的擦除操作相对复杂,需要消耗较长的时间。
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AM:Random Access Memory,随机访问存储器。以手机为例,RAM在手机上相当于运行内存,是用来存储和保存数据的。
RAM可以通过指令随机的、个别的对各个存储单元进行访问,一般访问时间基本固定,150度高温可编程存储器价格,而与存储单元地址无关。
RAM的速度比较快,200度可编程存储器价格,但是其保存的信息需要电力支持,一旦丢失供电即数据消失,所以又叫易失性存储器。
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