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随着技术的发展，“只读”这个“传统”的概念有时是可以被一些新特性的器件颠覆的。比如下面这两种类型的ROM就可以使用适当的方法进行擦除或改写：

EPROM：与一般的ROM不同在于，它可用特殊的装置擦除或重写其中的内容。

FLASH：闪速存储器，是完全非易失的，175度可编程存储器价格，可以在线写入，并且可以按页连续字节写入，150度高温可编程存储器价格，读出速度快。

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Intel于1988年首先开发出NOR flash技术，改变了原先由EPROM和EEPROM一统天下的局面。

NOR Flash的读取和我们常见的SDRAM的读取是一样，即可以根据地址随机读写，用户可以直接运行装载在NOR FLASH里面的代码，这样可以减少SRAM的容量从而节约了成本。因为其读取速度快，可编程存储器，多用来存储程序、操作系统等重要信息。

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新兴存储器(emerging memory)现在多指的是新的非挥发性存储器，主要包括相变半导体(Phase Change Memory；PCM)、可变电阻式存储器(Resistive RAM；ReRAM)以及MRAM。这些新兴存储器目前都在竞争储存级存储器(Storage Class Memory；SCM)的主要位置。

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