合肥启尔特石油科技有限公司新到一批150度、175度、200度、210度高温存储器 ,适用于石油测井勘探领域。存储器能做高温的厂家不多,150度常用的是25LC256系列,175度FLash存储器可以做到4MB容量,175度随机存储器介绍,200度和210度的都是TI公司eeprom存储器,150度随机存储器价格,容量较小,如有需要的客户,欢迎来电。
新兴存储器(emerging memory)现在多指的是新的非挥发性存储器,主要包括相变半导体(Phase Change Memory;PCM)、可变电阻式存储器(Resistive RAM;ReRAM)以及MRAM。这些新兴存储器目前都在竞争储存级存储器(Storage Class Memory;SCM)的主要位置。
150度存储器FLash
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Flash,又叫Flash Memory,即平时所说的“闪存”。
Flash结合了ROM和RAM的长处,不仅具备电子可擦除可编程(EEPROM)的功能,还可以快速读取数据,具有NVRAM的优势(NVRAM:Non-Volatile Random Access Memory,随机存储器,非易失性随机访问存储器)。
在过去,嵌入式系统一直使用ROM(EPROM)作为它们的存储设备,Flash的出现,代替了ROM(EPROM)在嵌入式系统中的地位,用作存储Bootloader以及操作系统或者程序代码或者直接当硬盘使用(U盘、固态硬盘)。
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存取时间(访问时间)TA:从存储器接收到读/写命令到信息被读出或写入完成所需的时间(决定于存储介质的物理特性和寻址部件的结构)。
例如:
ROM存取时间通常为几百ns;
RAM存取时间通常为几十ns到一百多ns;
双极性RAM存取时间通常为10~20ns。
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