微弧氧化电源原理图-日照微弧技术(在线咨询)-微弧氧化电源

微弧氧化电解液组成及工艺条件

　     微弧氧化电解液组成：K2SiO3 5～10g/L，微弧氧化电源，Na2O2 4～6g/L，NaF 0.5～1g/L，CH3COONa 2～3g/L，微弧氧化电源原理图，Na3VO3 1～3g/L；溶液pH为11～13；温度为20～50℃；阴极材料为不锈钢板；电解方式为先将电压迅速上升至300V，100kw微弧氧化电源，并保持5～10s，然后将阳极氧化电压上升至450V，电解5～10min。

       两步电解法，靠前步：将铝基工件在200g/L的钾水玻璃水溶液中以1A/dm2的阳极电流氧化5min；第二步：将经靠前步微弧氧化后的铝基工件水洗后在70g/L的Na3P2O7水溶液中以1A/dm2的阳极电流氧化15min。阴极材料为：不锈钢板；溶液温度为20～度为20～50℃微弧氧化电源、微弧氧化技术、微弧氧化生产线

温度对微弧氧化的影响

       微弧氧化与阳极氧化不同，所需温度范围较宽。一般为10—90度。温度越高，成膜越快，但粗糙度也增加。且温度高，会形成水气。一般建议在20—60度。由于微弧氧化以热能形式释放，所以液体温度上升较快，微弧氧化过程须配备容量较大的热交换制冷系统以控制槽液温度。所以微弧氧化过程中一定要控制好温度。微弧、微弧氧化、微弧氧化技术、微弧氧化电源

微弧氧化技术特点

1、可处理任意大小工件

可处理任意大小工件（超小，微弧氧化电源使用，超大） 可进行细长管（可处理任何长度工件） 复杂异形件（如深盲孔内部） 特殊材料特殊性能膜层制备等高难度研究工作。

2、高结合力

基体原位生长陶瓷膜，膜层与基底金属结合力强，陶瓷膜致密均匀。

3、可处理的材料镁、铝、钛、锆、钽、铌等及其合金材料（包括含硅量较高的铝合金）。

微弧氧化电源原理图-日照微弧技术(在线咨询)-微弧氧化电源由日照微弧技术有限公司提供。日照微弧技术有限公司为客户提供“微弧氧化,微弧氧化技术,微弧氧化电源,微弧氧化厂家”等业务，公司拥有“微弧氧化,微弧氧化技术,微弧氧化电源,微弧氧化厂家”等品牌，专注于行业设备等行业。，在山东省日照市高新技术产业开发区高新6路创业中心C4栋的名声不错。欢迎来电垂询，联系人：赵先生。