合肥启尔特石油科技有限公司新到一批150度、175度、200度、210度高温存储器 ,适用于石油测井勘探领域。存储器能做高温的厂家不多,150度常用的是25LC256系列,175度FLASH存储器可以做到4MB容量,200度和210度的都是TI公司eeprom存储器,容量较小,如有需要的客户,欢迎来电。
Flash 储存器芯片中单元格里的电子可以被带有更高电压的电子区还原为正常的1。Flash 储存器采用内部闭合电路,这样不仅使电子区能够作用于整个芯片,还可以预先设定“区块”(Block)。在设定区块的同时就将芯片中的目标区域擦除干净,以备重新写入。传统的EEPROM芯片每次只能擦除一个字节,而Flash 储存器每次可擦写一块或整个芯片。Flash 储存器的工作速度大幅优于传统EEPROM芯片。
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AM:Random Access Memory,随机访问存储器。以手机为例,RAM在手机上相当于运行内存,是用来存储和保存数据的。
RAM可以通过指令随机的、个别的对各个存储单元进行访问,一般访问时间基本固定,而与存储单元地址无关。
RAM的速度比较快,但是其保存的信息需要电力支持,一旦丢失供电即数据消失,所以又叫易失性存储器。
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EEPROM和闪存的写入时间显着增加了MCU的能耗,因为它们使MCU的活动时间更长。如果在写入EEPROM和闪存完成时MCU处于睡眠模式,则可以降低能耗。但是,EEPROM或闪存消耗的能量代表了系统的大部分能耗,因此使MCU处于睡眠模式不会对总体能耗产生重大影响。很明显,通过功率门控的快速写入,非易失性存储器可以实现低的能耗。
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