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首先按照摩尔比1:1比例取出浓度大于99.9%,粒度小于500微米的硅粉和碳粉,然后进行两次合成。在初次合成步骤中,将所取硅粉和碳粉混合均匀放入坩埚中,再将坩埚置于中频感应加热炉,并对加热炉的生长室抽真空,除去其中的氧气和氮气,同时将温度升高至1000摄氏度。然后向生长室中充入高纯度的氦气和氢气的混合气体,加热至1500摄氏度,保持反应时间15分钟,而后降至室温,后将反应后的产物中大于1厘米的团聚物碾成小于1毫米的粉末。
在二次合成步骤中,将上述产物粉末混合均匀重新放入坩埚,并将坩埚再次置于中频感应加热炉,抽真空环境,升高温度到1000摄氏度,通入氦气和氢气的混合气体。然后升高温度到1600摄氏度到2000摄氏度,保持反应合成时间2小时到10小时,再降至室温。通过这两步即可以得到粒度小于20微米的适用于半导体碳化硅硅单晶生长的高纯碳化硅粉,采用粉末衍射法(XRD)对初次合成和二次合成产物进行物相分析,得到的XRD如图1所示,通过分析可以发现初次合成粉末有硅和碳的单质剩余,而二次合成则可以使得反应更加完全,得到纯度更高的碳化硅。
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郑州高纯氧气在医学领域的应用
医学领域高度依赖郑州高纯氧气。在医院,郑州高纯氧气用于各种急救场景,如心肺复苏、窒息抢救等,为患者提供充足氧供,维持生命体征。对于呼吸系统疾病患者,像慢性阻塞性肺疾病、患者,吸氧能缓解呼吸困难,改善肺部通气功能。在高压氧舱中,郑州高纯氧气可提高血液中的氧含量,促进组织修复与新陈代谢,对、脑损伤等疾病有显著。
此外,在手术室,为确保手术顺利进行,稳定的郑州高纯氧气供应是关键,保障患者生命安全。
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在半导体芯片的生产流程中,郑州高纯氧气主要用于氧化、光刻、蚀刻等多个关键步骤。
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