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铁电存储技术早在1921年提出,直到1993年美国Ramtron国际公司成功早开发出4K位的铁电存储器FRAM产品,目前所有的FRAM产品均由Ramtron公司制造或授权。近几年,FRAM又有新的发展,采用了0.35 um工艺,推出了3V产品,开发出"单管单容"存储单元的FRAM,密度可达256K位。
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动态随机存取存储器的缺点
动态随机存取存储器(DRAM)是以一个电晶体加上一个电容来储存一个位(1bit)的资料,由于传统 DRAM 的电容都是使用“氧化矽”做为绝缘体,氧化矽的介电常数不够大(K 值不够大),因此不容易吸引(储存)电子与电洞,造成必须不停地补充电子与电洞,所以称为“动态”,只要电脑的电源关闭,电容所储存的电子与电洞就会流失,DRAM 所储存的资料也就会流失。
要解决这个问题,的就是使用介电常数够大(K 值够大)的材料来取代“氧化矽”为绝缘体,让电子与电洞可以储存在电容里不会流失。目前业界使用“钛锆酸铅”(PZT)或“钽铋酸锶”(SBT)这种介电常数很大(K 值很大)的“铁电材料”(Ferroelectric material)来取代氧化矽,则可以储存电子与电洞不会流失,让原本“挥发性”的动态随机存取存储器(DRAM)变成“非挥发性”的存储器称为“铁电随机存取存储器”(Ferroelectric RAM,FRAM)。
210度进口存储器价格
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程序存储器,就是指ROM,有名只读存储器,用来存放代码段,它是只读的,销售150度进口存储器参数,经烧写后不能改写(除非重新擦写);
数据存储器,就是指RAM,有名随即存储器,它是可读可写的,用来存放数据变量、堆栈的,掉电其中的数据会消失;
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