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存储器的单元
存储器的“单元”(Cell)是指用来存取资料的结构,如果含有一个晶体管(Transistor)与一个电容(Capacitor)则称为“1T1C”;如果含有一个晶体管(Transistor)与一个电阻(Resistor)则称为“1T1R”;如果含有一个二极体(Diode)与一个电阻(Resistor)则称为“1D1R”。
存储器的每个“单元”不一定只能储存 1 个位的资料,由于我们对存储器容量的要求越来越高,每个“单元”能储存的资料越来越多,依照每个“单元”能储存的资料位数又分为:单层单元(Single-Level Cell,SLC)、多层单元(Multi-Level Cell,MLC)、三层单元(Triple-Level Cell,销售210度高温存储器品牌,TLC)、四层单元(Quad-Level Cell,QLC)等。
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外围电路
(1) 地址译码。
4Kb×1的存储器有4096个存储单元,选择某一单元需要12根地址信号(212=4096),高温存储器,它们被分为行地址和列地址。
(2) I/O电路(输出驱动)。
(3) 读写控制电路。R/W。
(4) 片选信号,CE或CS。
微机存储器由多个存储芯片组成,CPU读写存储器时,必须选中一个芯片,该选择信号称为"片选信号",一般用CE或CS表示。只有被选中的芯片(CE/CS有效),才能读出或写入数据。
(5) 三态缓冲器(图中未画出)
用于连接CPU数据总线和存储器数据总线。当三态缓冲器选通时,销售175度高温存储器参数,CPU才能与存储器交换数据。否则,CPU与存储器断开。
(6) 刷新电路(图中未画出,仅DRAM存储器需要)
用于控制DRAM刷新。
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特殊功能寄存器
特殊功能寄存器(SFR)的地址范围为80H~FFH。在MCS-51中,除程序计数器PC和四个工作寄存器区外,其余21个特殊功能寄存器都在这SFR块中。其中5个是双字节寄存器,它们共占用了26个字节。各特殊功能寄存器的符号和地址见附表2。其中带*号的可位寻址。特殊功能寄存器反映了8051的状态,实际上是8051的状态字及控制字寄存器。用于CPU PSW便是典型一例。这些特殊功能寄存器大体上分为两类,一类与芯片的引脚有关,另一类作片内功能的控制用。与芯片引脚有关的特殊功能寄存器是P0~P3,它们实际上是4个八位锁存器(每个I/O口一个),每个锁存器附加有相应的输出驱动器和输入缓冲器就构成了一个并行口。MCS-51共有P0~P3四个这样的并行口,可提供32根I/O线,每根线都是双向的,并且大都有第二功能。其余用于芯片控制的寄存器中,累加器A、标志寄存器PSW、数据指针DPTR等的功能前已提及,而另一些寄存器的功能在后面有关部分再作进一步介绍
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