




预先称取5~10g的碳化硅粉末和0.1g的单质硅粉,置于镍盘中,使硅和碳化硅充分接触后,将镍盘放入蒙乃尔合金反应管中,向反应管内通入氟气,氟气先和单质硅反应。含镁大于2%的合金不能用。在高温,一些金属起加速CF4分解的催化作用。按其催化作用增长的次序由小到大地排列则如下:因科镍合金、奥氏体不锈钢、镍、钢、铝、铜、青铜、黄铜、银。反应放热后,氟开始和碳化硅进行反应,通入等体积的干燥氮气以稀释氟气,使反应继续进行,生成气体通过液氮冷却的镍制捕集器冷凝,四氟化碳,然后慢慢地气化。


它在大气中的寿命约为50,000年,增温(暖化)系数是6,500(二氧化碳的系数是1)。虽然结构与氟氯烃相似,但四氟化碳不会破坏臭氧层。四氟化碳是目前微电子工业中用量大的等离子蚀刻气体,其高纯气及四氟化碳高纯气配高纯氧气的混合体,可广泛应用于硅、二氧化硅、氮化硅、磷硅玻璃及钨薄膜材料的蚀刻。预先称取5~10g的碳化硅粉末和0.1g的单质硅粉,置于镍盘中,使硅和碳化硅充分接触后,将镍盘放入蒙乃尔合金反应管中,向反应管内通入氟气,四氟化碳批发,氟气先和单质硅反应。

随着芯片制程向7纳米迈进,四氟化碳多少钱,细微杂质对芯片的损害更为明显,电子产业对高纯电子气体的纯度要求进一步提高,在此背景下,我国高纯四氟化碳生产技术与产品质量仍有提升空间。四氟化碳是一种卤代烃,化学式CF4。它既可以被视为一种卤代烃、全氟化碳,也可以被视为一种无机化合物。零下198 °C时,四氟化碳具有单斜的结构,晶格常数为a = 8.597,四氟化碳厂家, b= 4.433, c = 8.381 (.10-1?nm), β = 118.73° 。高纯四氟化碳在常温常压条件下化学性质稳定,高纯四氟化碳是一种高纯电子气体,在电子产业中需求量大。
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