




150度直插电容参数
北京启尔特石油科技有限公司现货供应美国进口150度、160度、175度、200度、250度、260度高温陶瓷电容,封装有贴片和直插两种,温漂小,精度好,性能稳定,可以根据客户需求定制,适用于石油测井勘探高温领域,欢迎致电!
介质内空洞:导致空洞产生的主要因素为陶瓷粉料内的有机或无机污染、烧结过程控制不当等。空洞的产生极易导致漏电,而漏电又导致器件内局部发热,进一步降低陶瓷介质的绝缘性能从而导致漏电增加。该过程循环发生,不断恶化,介绍175度高温电容参数,导致其耐压水平降低。
175度高温高压电容价格
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银离子迁移使电容器极间边缘电场发生严重畸变,又因高湿度环境中陶瓷介质表面凝有水膜,使电容器边缘表面电晕放电电压显著下降,高温电容,工作条件下产生表面极间飞弧现象。严重时导致电容器表面极间飞弧击穿。表面击穿与电容结构、极间距离、负荷电压、保护层的疏水性与透湿性等因素有关。边缘表面极间飞弧击穿的主要原因是,介质留边量较小,在潮湿环境中工作时的银离子迁移和表面水膜形成使电容器边缘表面绝缘由于银离子迁移的产生与发展需要一段时间,所以在耐压试验初期,失效模式以介质击穿为主,直到试验500h以后,只要失效模式才过度为边缘表面极间飞弧击穿。
200度进口直插电容供应商
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离子迁移可严重破坏正电极表面银层,引线焊点与电极表面银层之间,间隔着具有半导体性质的氧化银,使无介质电容器的等效串联电阻增大,高温200度高温电容参数,金属部分损耗增加,电容器的损耗角正切值显著上升。
由于正电极有效面积减小,电容器的电容量会因此而下降。表面绝缘电阻则因无机介质电容器两电极间介质表面上存在氧化银半导体而降低。银离子迁移严重时,两电极间搭起树枝状的银桥,使电容器的绝缘电阻大幅度下降。
综上所述,银离子迁移不仅会使非密封无机介质电容器电性能恶化,而且可能引起介质击穿场强下降,后导致电容器击穿。
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