但是靶材制作困难，这是因为氧化铟不容易烧结在一起。一般采用ZrO2、Bi2O3、CeO等作为烧结添加剂，能够获得密度为理论值的93%~98%的靶材，这种方式形成的ITO薄膜的性能与添加剂的关系极大。日本的科学家采用Bizo作为添加剂，Bi2O3在820Cr熔化，在l500℃的烧结温度超出部分已经挥发，这样能够在液相烧结条件下得到比较纯的ITO靶材。而且所需要的氧化物原料也不一定是纳米颗粒，这样可以简化前期的工序。
磁控溅射靶材种类：金属溅射镀膜靶材，合金溅射镀膜靶材，陶瓷溅射镀膜靶材，硼化物陶瓷溅射靶材，碳化物陶瓷溅射靶材，氟化物陶瓷溅射靶材，纯银板材工艺，氮化物陶瓷溅射靶材，纯银板材哪家好，氧化物陶瓷靶材，硒化物陶瓷溅射靶材，硅化物陶瓷溅射靶材，硫化物陶瓷溅射靶材，碲化物陶瓷溅射靶材，其他陶瓷靶材，沈阳纯银板材，掺铬一氧化硅陶瓷靶材（Cr-SiO），纯银板材报价，磷化铟靶材（InP），铅靶材（PbAs），铟靶材（InAs）。
溅射技术：溅射是制备薄膜材料的主要技术之一，它利用离子源产生的离子，在真空中经过加速聚集，而形成高速度能的离子束流，轰击固体表面，离子和固体表面原子发生动能交换，使固体表面的原子离开固体并沉积在基底表面，被轰击的固体是制备溅射法沉积薄膜的原材料，称为溅射靶材。各种类型的溅射薄膜材料无论在半导体集成电路、太阳能光伏、记录介质、平面显示以及工件表面涂层等方面都得到了广泛的应用。
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