EMMI微光显微镜
微光显微镜（Emission Microscope， EMMI）是常用漏电流路径分析手段。对于故障分析而言，微光显微镜（Emission Microscope，泰州精密制样， EMMI）是一种相当有用且效率极高的分析工具。主要侦测IC内部所放出光子。在IC元件中，精密制样设备报价，EHP（Electron Hole Pairs）Recombination会放出光子（Photon）。如在P-N结加偏压，此时N阱的电子很容易扩散到P阱，而P的空穴也容易扩散至N，然后与P端的空穴（或N端的电子）做EHP Recombination。在故障点定位、寻找近红外波段发光点等方面，微光显微镜可分析P-N接面漏电；P-N接面崩溃；饱和区晶体管的热电子；氧化层漏电生的光子激发；Latch up、Gate Oxide Defect、Junction Leakage、Hot Carriers Effect、ESD等问题.
超声波扫描显微镜特点：非破坏性、对样品无损坏。分辨率高，精密制样设备价格，可确定缺陷在样品内部的准确位置。工作方式按接收信息模式可分为反射模式与透射模式。按扫描方式分可分为 C扫，B扫，X扫，Z扫，分焦距扫描，分波长扫描等多种方式。二次打标假l冒识别塑封器件二次打标可用于塑封元器件表面标识的假l冒识别，通过对期间标识层的多层扫描可发现二次打标痕迹。
微光显微镜侦测得到亮点之情况：会产生亮点的缺陷 - 漏电结（Junction Leakage）; 接触毛刺（Contact spiking）; （热电子效应）Hot electr;闩锁效应（ Latch-Up）;氧化层漏电（ Gate oxide defects / Leakage(F-N current)）;多晶硅晶须（Poly-silicon filaments）; 衬底损伤（Substrate damage）; （物理损伤）Mechanical damage等。原来就会有的亮点 - Saturated/ Active bipolar transistors; -Saturated MOS/Dynamic CMOS; Forward biased diodes/Reverse；biased diodes(break down) 等。
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