金属靶材材质分为：
镍靶、Ni、钛靶、Ti、锌靶、Zn、铬靶、Cr、镁靶、Mg、铌靶、Nb、锡靶、Sn、铝靶、Al、铟靶、In、铁靶、Fe、锆铝靶、ZrAl、钛铝靶、TiAl、锆靶、Zr、铝硅靶、AlSi、硅靶、Si、铜靶Cu、钽靶T、a、锗靶、Ge、银靶、Ag、钴靶、Co、金靶、Au、钆靶、Gd、镧靶、La、钇靶、Y、钨靶、w、不锈钢靶、镍铬靶、NiCr、铪靶、Hf、钼靶、Mo、铁镍靶、FeNi、钨靶、W等。
热压法：ITO靶材的热压制作过程是在石墨或氧化铝制的模具内充填入适当粉末以后，以 100kgf/cm 2～1000kgf/cm 2的压力单轴向加压，同时以1000℃～1600℃进行烧结。热压工艺制作过程所需的成型压力较小，香槟金靶材加工，烧结温度较低，香槟金靶材技术，烧结时间较短。但热压法生产的ITO靶材由于缺氧率高，氧含量分布不均匀，从而影响了生产ITO薄膜的均匀性，香槟金靶材，且不能生产大尺寸的靶。
在所有应用产业中，半导体产业对靶材溅射薄膜的品质要求是苛刻的。如今12英寸（300衄口）的硅晶片已制造出来．而互连线的宽度却在减小。硅片制造商对靶材的要求是大尺寸、高纯度、低偏析和细晶粒，这就要求所制造的靶材具有更好的微观结构。靶材的结晶粒子直径和均匀性已被认为是影响薄膜沉积率的关键因素。另外，薄膜的纯度与靶材的纯度关系极大，过99.995%（4N5）纯度的铜靶，或许能够满足半导体厂商0.35pm工艺的需求，但是却无法满足如今0.25um的工艺要求。
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