精铝经过区熔提纯，吉林贵金属靶材，只能达到5 的高纯铝，但如使用在有机物电解液中进行电解，可将铝提纯到99.9995%，并可除去有不利分配系数的杂质，然后进行区熔提纯数次，就能达到接近于 7 的纯度，杂质总含量<0.5ppm。这种超纯铝除用于制备化合物半导体材料外，还在低温下有高的导电性能，可用于低温电磁设备。
制备化合物半导体的金属如铟、磷，可利用氯化物精馏氢还原、电解精炼、区熔及拉晶提纯等方法制备超纯金属，总金属杂质含量为 0.1～1ppm。其他金属如银、金、镉、、铂等也能达到≥6 的水平。
中国的工业，由于长期处于计划经济体制内，发展比较缓慢，对于金银而言，贵金属靶材多少钱，可以说是历史悠久，源远流长了，但在改革开放前，没有纳入国家计划渠道的，直至2002年10月30日上海黄金正式开业，才宣告了计划经济时金银管理条例的失效，而铂族金属工业更是起步晚、技术落后，直到改革开放以后，贵金属靶材工艺，才有了突飞猛进的发展，但与国际上的国家相比较，依然是落在人家后面，因此在中国无论是的投资储备需求，还是实际的应用需求。
在储存技术方面，高密度、大容量硬盘的发展，需要大量的巨磁阻薄膜材料，CoF~Cu多层复合膜是如今应用广泛的巨磁阻薄膜结构。磁光盘需要的TbFeCo合金靶材还在进一步发展，用它制造的磁光盘具有存储容量大，寿命长，可反复无接触擦写的特点。如今开发出来的磁光盘，具有TbFeCo/Ta和TbFeCo/Al的层复合膜结构，TbFeCo/AI结构的Kerr旋转角达到58，而TbFeCofFa则可以接近0.8。经过研究发现，低磁导率的靶材高交流局部放电电压l抗电强度。
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