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1、非破坏性分析:主要是超声波扫描显微镜(C-SAM)--看有没delamination,xray--看内部结构,等等;
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3、破坏性分析:机械decap,化学 decap芯片开封机
4、半导体器件芯片失效分析 芯片內部分析,孔洞气泡失效分析。
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微光显微镜侦测得到亮点之情况:会产生亮点的缺陷 - 漏电结(Junction Leakage); 接触毛刺(Contact spiking); (热电子效应)Hot electr;闩锁效应( Latch-Up);氧化层漏电( Gate oxide defects / Leakage(F-N current));多晶硅晶须(Poly-silicon filaments); 衬底损伤(Substrate damage); (物理损伤)Mechanical damage等。原来就会有的亮点 - Saturated/ Active bipolar transistors; -Saturated MOS/Dynamic CMOS; Forward biased diodes/Reverse;biased diodes(break down) 等。

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