晶振的负载电容
晶振有一个重要的参数，那就是负载电容值，选择与负载电容值相等的并联电容，就可以得到晶振标称的谐振频率。
一般的晶振振荡电路都是在一个反相放大器（注意是放大器不是反相器）的两端接入晶振，再有两个电容分别接到晶振的两端，每个电容的另一端再接到地，这两个电容串联的容量值就应该等于负载电容，请注意一般IC的引脚都有等效输入电容，差分输出晶振，这个不能忽略。
一般的晶振的负载电容为15p或12.5p ，如果再考虑元件引脚的等效输入电容，则两个22p的电容构成晶振的振荡电路就是比较好的选择。负载电容+等效输入电容=22pF。
晶体谐振器与晶体振荡器的区别
1，晶体振荡器的厚度总是高于晶体谐振器。因为晶体振荡器内部直接置入起振芯片，无需外部元器件帮助起振，自身可以直接起振。
2，差分输出晶振厂家，由于晶体振荡器可以依靠自身起振，因此在电子行业归类为主动元器件，而晶体谐振器需要依靠外部电容电阻起振，称之为被动元器件。
3，晶体振荡器种类复杂繁多，可分为以下几种：普通振荡器（SPXO）；温补振荡器（TCXO）；压控振荡器（VCXO），压控温补振荡器（VC-TCXO）；恒温振荡器（OCXO）。而晶体谐振器只有一种，就是自身。
4，晶体振荡器的精度高于晶体谐振器，因此两者论性能稳定度，莫属晶体振荡器出众。晶体振荡器中的温补振荡器较高精度可达到0.5ppm，差分输出晶振报价，晶体谐振器较高精度只能做到5ppm，且为DIP封装，SMD封装较高精度仅仅只有10PPM。
5，无疑，晶体振荡器的成本高于晶体谐振器。
其次，晶体与晶振弄混会导致哪些误会。从上文的分析中我们可以得出结论，被动与主动的焊接电路是完全不同的，因晶体振荡器无需外接电容，晶体谐振器需外接电容电阻，如若两者混淆采购，电路将无法正常起振。
晶体振荡器市场规模
近几年，由于整个晶体振荡器市场竞争激烈，价格下滑，其营收额增长幅度十分有限，2014年晶体振荡器市场营收为21.5亿美元，预计2015年到2020将年复合增长5％，2020达到30亿美元。其中亚太区2014年晶体振荡器市场营收11.3亿美元，预计2015年到2020将年复合增长9％，2020达到18亿美元。
国内晶体振荡器行业近几年发展稳定，年产值约占总产值的百分之三十左右，位居世界前沿。受国内外宏观经济影响，我国晶体振荡器产业虽然仍在继续保持快速增长，但增幅状态较比之往年有所回落。
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