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半电流IGBT多少钱
IGBT(Insulated-GateBipolarTransistor)是一种重要的功率半导体器件,广泛应用于电力电子领域。半电流版本的IGBT相较于全电压版本具有更高的效率和更低的能耗损失、可靠性更高且寿命长等优点而被广泛应用在新能源汽车充电桩设备上备受青睐,例如目前市场中每件价格约为500元上下。
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半电流IGBT是一种新型的功率半导体器件,具有较高的开通能力。它由一个P型门极和N型基区组成,并在其上形成多个二维子结(JT结构)。当施加一定的工作电压时,载流子在JTP区域的源区和漏区的电场中加速聚集并撞击漂移通道中的中性原子,使其获得足够的动能而离开该区域;这样就在PNPNPN中建立了正反馈作用下的自激导电振荡过程。

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