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氧在热处理中的行为非常复杂。直拉单晶经300~500℃热处理会产生热施主,半导体硅报价,而经650℃以上热处理可除热施主,同时产生氧沉淀成核中心,在更高温度下处理会产生氧沉淀,半导体硅厂家,形成层错和位错等诱生缺陷,利用这些诱生缺陷能吸收硅中有害金属杂质和过饱和热点缺陷的特性,发展成使器件由源区变成“洁净区”的吸除工艺,能提高器件的成品率。
实验表明,引入第二组元形成体系能降低硅的体积膨胀系数,内蒙半导体硅,利用活性元素或者非活性元素本身的一些特性,如金属延展性、成键特性等,缓解硅在嵌脱锂过程中产生的体积效应。硅的多孔化一方面能增加硅主体材料与电解液接触的比表面积,提高锂离子往材料内部的输运效率,增强材料的导电性,另一方面能为硅在充放电过程中可能存在的体积膨胀预留空间,减少硅体积效应对极片的影响。
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