各种类型的溅射薄膜材料在半导体集成电路(VLSI)、光碟、平面显示器以及工件的表面涂层等方面都得到了广泛的应用。20世纪90年代以来,溅射靶材及溅射技术的同步发展,极大地满足了各种新型电子元器件发展的需求。例如,在半导体集成电路制造过程中,以电阻率较低的铜导体薄膜代替铝膜布线。
在被溅射的靶极(阴极)与阳极之间加一个正交磁场和电场,在高真空室中充入所需要的惰性气体(通常为Ar气),磁铁在靶材料表面形成250~350高斯的磁场,同高压电场组成正交电磁场。






精铝经过区熔提纯,银粒生产加工,只能达到5 的高纯铝,但如使用在有机物电解液中进行电解,银粒价格,可将铝提纯到99.9995%,并可除去有不利分配系数的杂质,然后进行区熔提纯数次,就能达到接近于 7 的纯度,六安银粒,杂质总含量<0.5ppm。这种超纯铝除用于制备化合物半导体材料外,还在低温下有高的导电性能,可用于低温电磁设备。
制备化合物半导体的金属如铟、磷,可利用氯化物精馏氢还原、电解精炼、区熔及拉晶提纯等方法制备超纯金属,总金属杂质含量为 0.1~1ppm。其他金属如银、金、镉、、铂等也能达到≥6 的水平。
1:金属镀钯,镀钯铜提钯技术:首先把镀钯铜等表面镀钯料放入容器中,再加入自配退钯溶液,数秒中后表面钯退净,取出镀钯铜基体(此方法对基体无伤害,再用自配化学试剂,钯和溶液分离
2:合金含钯,铜钯合金提钯技术:把铜钯合金放入容器中,加入自配化学品把铜钯合金溶解成液体,银粒报价,再用自配化学试剂把钯和溶液分离。
3:废钯碳催化剂提钯,首先用物理原理把碳等有机物去除,剩下金属钯,再用化学试剂溶解金属钯,再进行下一步钯分离。
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