




实验表明,引入第二组元形成体系能降低硅的体积膨胀系数,利用活性元素或者非活性元素本身的一些特性,如金属延展性、成键特性等,缓解硅在嵌脱锂过程中产生的体积效应。硅的多孔化一方面能增加硅主体材料与电解液接触的比表面积,提高锂离子往材料内部的输运效率,增强材料的导电性,另一方面能为硅在充放电过程中可能存在的体积膨胀预留空间,减少硅体积效应对极片的影响。
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