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背靶材料：

无氧铜(OFC)– 目前常使用的作背靶的材料是无氧铜，因为无氧铜具有良好的导电性和导热性，贵金属复合材料加工，而且比较容易机械加工。 如果保养适当，无氧铜背靶可以重复使用10次甚至更多。

钼(Mo)– 在某些使用条件比较特殊的情况下，如需要进行高温帖合的条件下，贵金属复合材料价格，无氧化铜容易被氧化和发生翘曲， 所以会使用金属钼为背靶材料或某些靶材如陶瓷甚至某些金属靶材的热膨胀系数无法与无氧铜匹配，同样也需要使用金属钼作为背靶材料。

烧结法： ITO靶材烧结制作法是在以铟锡氧化物共沉淀粉末或氧化铟和氧锡混合粉末为原料，加入粘结剂和分散剂混合后，压力成型，辽阳贵金属复合材料，脱脂，然后于1400℃---1600℃烧结。烧结法设备投入少，成本低，产品密度高、缺氧率低，尺寸大、但制造过程中对粉末的选择性很强。

ITO靶制备的透明导电薄膜广泛应用于数码相机、投影电视、数码显示的各种光学系统中，需求量都很大。

对圆周方向的电阻值的不均匀依然无法改善。

此外，采用连续硫化法时，如果硫化时的热传递没有设法尽量达到均匀，则挤压后的硫化速度不一致，这样可能电阻值的不均匀程度反而大于间歇式硫化法。特别是在圆周方向上这种倾向更显著。

采用连续硫化法时，在挤压机的挤压筒内的半径方向上有非常大的剪切速度分布，这可能会影响电子导电性填充剂的分散。