吸收突波压敏电阻-压敏电阻-至敏电子有限公司(查看)

突波吸收器的高频特性与EMI抑制能力
突波吸收器（如TVS二极管、压敏电阻等）作为电路保护元件，氧化锌压敏电阻压敏电阻，其高频特性与电磁干扰（EMI）抑制能力直接影响其在现代电子设备中的适用性。高频特性方面，突波吸收器的响应速度和寄生参数是关键指标。TVS二极管具备纳秒级响应速度（通常<1ns），玻封测温型压敏电阻，能有效捕捉高频瞬态脉冲（如ESD或开关噪声），但其结电容（0.5-50pF）会随频率升高形成阻抗通路，导致高频信号衰减。压敏电阻的响应时间较慢（约25ns），且固有电容较大（数百pF至nF级），在MHz以上频段会显著劣化信号完整性。因此，高频应用需选择低电容TVS（如双向二极管阵列）或采用多级保护设计，将高频吸收器与滤波器组合使用。
在EMI抑制方面，突波吸收器通过钳位瞬态过电压，可减少共模噪声的传导发射。其非线性特性可吸收瞬态能量，抑制因开关动作或雷击引发的宽频带电磁辐射（30MHz-1GHz）。但单一突波吸收器对连续EMI的抑制效果有限，需与LC滤波器、磁环等形成协同防护：TVS处理尖峰电压，滤波器衰减高频谐波，磁环抑制共模电流。例如在开关电源输入端，采用"压敏电阻+π型滤波器+X电容"组合，可将传导EMI降低20dB以上。值得注意的是，突波吸收器的布局布线直接影响高频性能，应尽量缩短引线长度（<5cm），避免引线电感与器件电容形成谐振回路，反而加剧高频噪声。
实际应用中需权衡保护强度与频率特性，汽车电子等高频场景推荐使用低电容TVS（结电容<3pF），工业设备可选用高能量压敏电阻结合铁氧体磁珠的组合方案。通过测试验证10MHz-1GHz频段的插入损耗和驻波比，可优化突波吸收器的选型和布局，实现EMI抑制与信号完整性的平衡。

半导体电阻器，也称为敏感电阻器，主要由半导体材料制成，具有对外界物理量变化敏感的特性。当温度、湿度、机械力、电压磁场等物理量发生变化时，半导体电阻器的电阻值会随之改变。这种特性使得半导体电阻器在电子电路中发挥着重要的作用。
半导体电阻器的工作原理主要基于PN结的特性。PN结由P型半导体和N型半导体组成，由于两种半导体之间的电场作用，使得内部材料中的空穴和自由电子发生迁移，从而形成电流的流动。当PN结上下两端加上电压时，电流的大小会受到电阻的影响，这也是半导体电阻器的重要特性之一。
此外，半导体电阻器还具有广泛的应用领域。例如，在热释电探测器中，半导体电阻材料对辐射的响应特性可用于辐射测量和人体探测。当半导体电阻材料受到辐射时，其电阻值会发生变化，通过测量这种变化可以探测到辐射的强度和能量。同时，半导体电阻器还可用于电压参考源、温度传感器以及熔断电阻器等场合，为电路提供稳定的电压参考、测量环境温度以及为电路提供过载保护等功能。
总之，压敏电阻，半导体电阻器作为电子电路中的重要元件，具有特别的物理特性和广泛的应用价值。随着科技的不断发展，半导体电阻器将会在更多领域发挥重要作用，推动电子技术的不断进步。

半导体电阻器的工作原理主要基于半导体材料的特性。半导体材料内部的自由电子和空穴浓度的变化会导致电阻率的变化。在半导体中，电流的流动是由自由电子和空穴所携带的电荷共同驱动的。当半导体材料与其他导体或半导体连接时，由于材料间电阻率的不同，形成了电子流的相互作用，从而改变了半导体材料的电学特性，使其成为能够控制电流的器件。
具体来说，半导体电阻器如PN结电阻，由P型半导体和N型半导体组成。在PN结中，由于N型半导体和P型半导体之间存在电场，使得内部材料出现空穴和自由电子的迁移，从而形成了电流的流动。当在PN结上下两端加上电压时，吸收突波压敏电阻，这种电流的流动成为PN结电阻的重要特性之一。
此外，半导体电阻器还包括热敏电阻，其电阻值随温度变化而变化。这是基于半导体的导电方式是载流子导电，当温度升高时，半导体中参与导电的载流子数目增多，导电率增加，电阻率下降。因此，通过测量热敏电阻值的变化，可以得知被测介质的温度变化。
总的来说，半导体电阻器的工作原理涉及半导体材料的电学特性和温度变化对电阻率的影响，这使得半导体电阻器在电子电路中能够发挥分压分流、控制电流等重要作用。