





温补振荡器发展
准确频率源是许多电子设备组成部分,频率源性能的优劣直接关系到系统的可靠性。随着便携式电子产品的飞速发展,温补有源晶振,对频率源的要求也越来越高。普通晶体振荡器是常用的频率源,但由于其振荡频率随温度变化呈近似的三次函数关系,它的应用范围受到了限制。为了获得宽温度范围的准确频率源,通常采用电路对其进行温度补偿。 本文设计了一款温度补偿晶体振荡器(TCXO)芯片,该芯片只需外接一颗石英晶振便可构成TCXO,温补有源晶振原厂,该芯片分为压控晶体振荡器和模拟温度补偿电路两个部分。其中的压控晶体振荡器的压控电容采用MOS可变电容,温补有源晶振报价,实现起来成本低。
什么叫温补振荡器的滞变效应和微扰效应
滞变效应(完整温度循环)[3]在一个完整的稳态环境温度测试循环中观察到的,温补有源晶振加工,温补晶体振荡器频率温度特性不可重复的一种热致效应(指标多为≤±0.1ppm~≤±0.6ppm)。滞变效应较为简单的计算方法是只计算一个完整稳态环境温度测试循环前后+25℃时输出频率的差值。
微扰效应:主要是由于晶体谐振器制造缺陷造成的,温补晶体振荡器输出频率围绕其光滑频率温度特性曲线存在跳点的效应(指标多为≤±0.1ppm~≤±1.0ppm)。微扰效应一般不做100%参数测试,厂家通常采用另外一种有效的方法,即通过筛选微扰效应小的晶体揩振器来做到设计参数的保证。
晶体振荡器频率控制方法
振荡器可通过直接牵引频率或使用高分辨率锁相环调整频率来实现频率控制。直接牵引频率的 VCXO用调整变容二极管电压来改变谐振电路电容,而直接牵引频率的DCXO通过可编程开关切换不同的谐振电容。使用石英晶体谐振器的VCXO直接牵引频 率调整可以保持低相位噪声,但牵引范围被限制在约±200ppm。当系统应用需要更宽的频率牵引范围和与晶体振荡器相近的低噪声特性时,用户更倾向于选择 基于锁相环的MEMS控制振荡器架构,因为它们可以提供高达±1600ppm的牵引范围。
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