





EMMI可广泛应用于侦测各种组件缺陷所产生的漏电流,包括闸极氧化层缺陷(Gate oxide defects)、静电放电破坏(ESD Failure)、闩锁效应(Latch Up)、漏电(Leakage)、接面漏电(Junction Leakage) 、顺向偏压(Forward Bias)及在饱和区域操作的晶体管,精密制样设备,可藉由EMMI定位,苏州精密制样,找热点(Hot Spot 或找亮点)位置,进而得知缺陷原因,帮助后续进一步的失效分析。

微光显微镜侦测得到亮点之情况:会产生亮点的缺陷 - 漏电结(Junction Leakage); 接触毛刺(Contact spiking); (热电子效应)Hot electr;闩锁效应( Latch-Up);氧化层漏电( Gate oxide defects / Leakage(F-N current));多晶硅晶须(Poly-silicon filaments); 衬底损伤(Substrate damage); (物理损伤)Mechanical damage等。原来就会有的亮点 - Saturated/ Active bipolar transistors; -Saturated MOS/Dynamic CMOS; Forward biased diodes/Reverse;biased diodes(break down) 等。

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