四氟化碳有时会用作低温冷却剂。它可用于电路板的制造，以及制造绝缘物质和半导体。它是用作气体蚀刻剂及等离子体蚀刻版。四氯1化碳与氟化1氢的反应在填有氢氧化铬的高温镍管中进行，反应后的气体经水洗、碱洗除去酸性气体，再通过冷冻，用硅胶除去气体中的水分经精馏而得成品。含镁大于2%的合金不能用。在高温，一些金属起加速CF4分解的催化作用。按其催化作用增长的次序由小到大地排列则如下：因科镍合金、奥氏体不锈钢、镍、钢、铝、铜、青铜、黄铜、银。
产品经除尘，碱洗除去HF、CoF2、SiF4、CO2等杂质、再经脱水可获得含量约为85%的粗品。将粗品引入低温精馏釜中进行间歇粗馏，通过控制精馏温度，高纯四氟化碳，除去O2、N2、H2，四氟化碳批发，得到高纯CF4。因为导致臭氧层破坏的是氟氯烃中的氯原子，它被紫外线辐射击中时会分离。碳-氟键比较强，因此分离的可能性比较低。四氟化碳，又称为四氟甲1烷、Freon-14及R 14，是一种卤代烃(化学式:CF4)。它既可以被视为一种卤代烃、卤代甲1烷、全氟化碳，也可以被视为一种无机化合物。
它在大气中的寿命约为50，000年，增温(暖化)系数是6，500(二氧化碳的系数是1)。虽然结构与氟氯烃相似，但四氟化碳不会破坏臭氧层。四氟化碳是目前微电子工业中用量大的等离子蚀刻气体，四氟化碳公司，其高纯气及四氟化碳高纯气配高纯氧气的混合体，可广泛应用于硅、二氧化硅、氮化硅、磷硅玻璃及钨薄膜材料的蚀刻。预先称取5~10g的碳化硅粉末和0.1g的单质硅粉，置于镍盘中，四氟化碳，使硅和碳化硅充分接触后，将镍盘放入蒙乃尔合金反应管中，向反应管内通入氟气，氟气先和单质硅反应。
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