绑定的适用范围
技术上来说表面平整可进行金属化处理的靶材都可以用我司铟焊绑定技术绑定铜背靶来提高溅射过程的散热性、提高靶材利用率。
建议绑定的靶材：
ITO、SiO2、陶瓷脆性靶材及烧结靶材；
锡、铟等软金属靶；
靶材太薄、靶材太贵的情况等。
但下列情况绑定有弊端：
1.熔点低的靶材，像铟、硒等，金属化的时候可能会变软变形；
2.贵金属靶材，一是实际重量易出现分歧，金铜靶材价格，二是金属化以及解绑的时候都会有浪费料，建议垫一片铜片。
区域提纯后的金属锗，其锭底表面上的电阻率为30～50欧姆 厘米时，纯度相当于8～9，可以满足电子器件的要求。但对于杂质浓度小于[KG2]10原子/厘米[KG2]的探测器级超纯锗，则尚须经过特殊处理。
由于锗中有少数杂质如磷、铝、硅、硼的分配系数接近于1或大于1，要加强化学提纯方法除去这些杂质，哪家有金铜靶材，然后再进行区熔提纯。电子级纯的区熔锗锭用霍尔效应测量杂质（载流子）浓度，一般可达10～10原子/厘米。经切头去尾，再利用多次拉晶和切割尾，一直达到所要求的纯度（10原子/厘米），这样纯度的锗（相当于13）所作的探测器，其分辨率已接近于理论数值。
现在行业中通用的测量方法基本是手动进行的，其劣势在于手动测试受人为因素 (用力的大小，金铜靶材哪家好，接触面积等)影响较大，手动测试无法实现同一被测物目标的多次数值的重现，金铜靶材，手动测试时只能达到每次测试出来一个数值，无法做产品的分析。另外一般的电阻测量仪器受温度和湿度的影响较大，无法测量，导致不能得出的数值，从而不能保证广品的品质。
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