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王水在溶解了 的溶液中有大量的残余和 硝基物的存在给后续提炼或精炼带来操作困难或失败，严重影响的提炼或精炼工艺顺利进行，阜阳尾气收受系统，严重影响回收率，故王水溶液的浓缩赶硝是紧随溶解其后的务必工序！尤其在铂族金属的精炼中严重影响水解的顺利进行和回收率。

王水溶液的浓缩赶硝故名思议是两段工序，浓缩的目的是将溶液中可在沸腾下挥发的酸和水尽量挥发，以便适合赶硝的药剂和浓度尽量高的无水硝基物或残余快速反应，以达到赶硝的目的。

精铝经过区熔提纯，只能达到5 的高纯铝，尾气收受系统价格，但如使用在有机物电解液中进行电解，可将铝提纯到99.9995%，并可除去有不利分配系数的杂质，然后进行区熔提纯数次，就能达到接近于 7 的纯度，杂质总含量<0.5ppm。这种超纯铝除用于制备化合物半导体材料外，还在低温下有高的导电性能，可用于低温电磁设备。

制备化合物半导体的金属如铟、磷，可利用氯化物精馏氢还原、电解精炼、区熔及拉晶提纯等方法制备超纯金属，总金属杂质含量为 0.1～1ppm。其他金属如银、金、镉、、铂等也能达到≥6 的水平。

在所有应用产业中，半导体产业对靶材溅射薄膜的品质要求是苛刻的。如今12英寸（300衄口）的硅晶片已制造出来．而互连线的宽度却在减小。硅片制造商对靶材的要求是大尺寸、高纯度、低偏析和细晶粒，尾气收受系统厂家，这就要求所制造的靶材具有更好的微观结构。靶材的结晶粒子直径和均匀性已被认为是影响薄膜沉积率的关键因素。另外，薄膜的纯度与靶材的纯度关系极大，过99.995%（4N5）纯度的铜靶，或许能够满足半导体厂商0.35pm工艺的需求，但是却无法满足如今0.25um的工艺要求。