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广东至敏电子有限公司

金牌会员4
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企业等级:金牌会员
经营模式:生产加工
所在地区:广东 东莞
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手机号码:13326891940
公司官网:www.semisam.com
企业地址:广东省东莞市大岭山镇大岭山水厂路213号1栋201室
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企业概况

广东至敏电子有限公司成立于2011年,是一家致力于保护性电子元器件研发与生产的民营高科技企业主要研发、生产高温氧化锌压敏电阻、SPD;大稳态电流负温度系数热敏电阻、温度传感器;正温度系数热敏电阻。外形有插件焊接型、贴片型及各种异形。...

浪涌吸收器价格-浪涌吸收器-至敏电子公司

产品编号:100122117289                    更新时间:2025-11-04
价格: 来电议定
广东至敏电子有限公司

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  • 主营业务:温度传感器,热敏电阻
  • 公司官网:www.semisam.com
  • 公司地址:广东省东莞市大岭山镇大岭山水厂路213号1栋201室

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突波吸收器在继电器接点保护中的应用与选型指南.

突波吸收器在继电器接点保护中的应用与选型指南
应用背景
继电器接点在断开感性负载(如电机、电磁阀等)时,因电流突变会产生反向电动势,浪涌吸收器,形成高压尖峰(突波),可能导致接点烧蚀、寿命缩短或干扰周边电路。突波吸收器(又称浪涌吸收器)通过快速泄放能量,浪涌吸收器价格,可有效抑制此类电压尖峰,保护接点及设备。
应用场景
1.感性负载保护:适用于控制电机、变压器等设备的继电器回路。
2.高频开关电路:在频繁通断的电路中降低电弧对触点的损伤。
3.抗干扰设计:抑制电磁干扰(EMI),提升系统稳定性。
选型关键参数
1.额定电压:选择高于电路工作电压20%-30%的型号,避免误动作。例如,24V系统可选30V-40V器件。
2.响应速度:TVS二极管(纳秒级)优于压敏电阻(微秒级),适用于高频场景。
3.能量吸收能力:根据负载电感量计算尖峰能量,公式为﹨(E=0.5﹨timesL﹨timesI^2﹨),选择裕量足够的器件。
4.封装形式:插件式(如MOV07D系列)适用于工业设备,贴片式(SMD)适合紧凑型PCB设计。
器件类型对比
|类型|优点|缺点|适用场景|
|------------|-----------------------|---------------------|--------------------|
|压敏电阻|成本低,通流量大|响应较慢,易老化|中低频大功率负载|
|TVS二极管|响应快,寿命长|通流能力有限|高频精密电路|
|RC缓冲电路|抑制电弧效果好|体积较大,损耗功率|低中频小电流负载|
安装注意事项
1.就近安装:直接并联在继电器接点两端,缩短导线长度以减少分布电感。
2.散热设计:大功率场景需预留散热空间,避免器件过热失效。
3.极性匹配:TVS二极管需注意正负极方向,压敏电阻无极性要求。
总结建议
对于常规工业设备,优先选用压敏电阻(如471KD系列);高频或精密控制场景推荐TVS二极管(如P6KE系列);若需兼顾灭弧和能耗,可采用RC缓冲电路。实际选型需结合负载特性、成本及空间限制综合评估,必要时通过示波器实测突波波形优化参数。


半导体电阻器相关知识

半导体电阻器,也称为敏感电阻器,主要由半导体材料制成,具有对外界物理量变化敏感的特性。当温度、湿度、机械力、电压磁场等物理量发生变化时,半导体电阻器的电阻值会随之改变。这种特性使得半导体电阻器在电子电路中发挥着重要的作用。
半导体电阻器的工作原理主要基于PN结的特性。PN结由P型半导体和N型半导体组成,由于两种半导体之间的电场作用,使得内部材料中的空穴和自由电子发生迁移,从而形成电流的流动。当PN结上下两端加上电压时,电流的大小会受到电阻的影响,这也是半导体电阻器的重要特性之一。
此外,浪涌吸收器加工厂,半导体电阻器还具有广泛的应用领域。例如,浪涌吸收器报价,在热释电探测器中,半导体电阻材料对辐射的响应特性可用于辐射测量和人体探测。当半导体电阻材料受到辐射时,其电阻值会发生变化,通过测量这种变化可以探测到辐射的强度和能量。同时,半导体电阻器还可用于电压参考源、温度传感器以及熔断电阻器等场合,为电路提供稳定的电压参考、测量环境温度以及为电路提供过载保护等功能。
总之,半导体电阻器作为电子电路中的重要元件,具有特别的物理特性和广泛的应用价值。随着科技的不断发展,半导体电阻器将会在更多领域发挥重要作用,推动电子技术的不断进步。


氧化锌压敏电阻(ZnOvaristor)作为过电压保护的元件,其失效模式主要包括热失控和性能退化两类。这两种失效机制直接影响器件的可靠性,需结合材料特性与工作环境深入分析。
热失控失效
热失控是压敏电阻在工况下的突发性失效模式。当器件承受持续过电压或多次高能浪涌冲击时,其内部ZnO晶界层因焦耳效应产生大量热量。若散热条件不足或能量吸收超过阈值,温度升高将导致晶界电阻率下降,形成“电阻降低→电流增大→温升加剧”的正反馈循环。此过程可能引发局部热应力集中,终导致晶界熔融、结构开裂甚至燃烧。热失控常伴随明显的外观形变(如鼓包、碳化)和电气参数骤变(漏电流激增、压敏电压崩溃),具有不可逆性和安全隐患。
性能退化失效
性能退化属于渐进式失效,源于长期工作或低能量冲击的累积效应。微观层面,反复的电压应力会使ZnO晶界势垒层缺陷密度增加,导致漏电流缓慢上升、压敏电压偏移及非线性系数衰减。这种退化虽不立即引发功能丧失,但会显著降低浪涌抑制能力。例如,漏电流从微安级升至毫安级时,器件持续发热加速老化;压敏电压下降10%以上可能导致保护阈值失准。此类失效隐蔽性强,需通过定期检测漏电流、介电损耗等参数进行预判。
影响因素与防护策略
热失控与性能退化的风险与器件设计(晶粒尺寸、添加剂配比)、工作环境(散热条件、冲击频次)密切相关。优化措施包括:①改进电极结构以增强散热;②通过掺杂Bi、Mn等元素提升晶界稳定性;③在电路设计中并联温度熔断器或串联间隙装置实现双重保护。实际应用中需根据负载特性合理选型,并建立老化监测机制,以平衡保护性能与服役寿命。


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