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广东至敏电子有限公司

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企业地址:广东省东莞市大岭山镇大岭山水厂路213号1栋201室
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广东至敏电子有限公司成立于2011年,是一家致力于保护性电子元器件研发与生产的民营高科技企业主要研发、生产高温氧化锌压敏电阻、SPD;大稳态电流负温度系数热敏电阻、温度传感器;正温度系数热敏电阻。外形有插件焊接型、贴片型及各种异形。...

压敏电阻选型-至敏电子(在线咨询)-压敏电阻

产品编号:100122248831                    更新时间:2025-11-07
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广东至敏电子有限公司

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  • 主营业务:温度传感器,热敏电阻
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压敏电阻的基本原理与非线性特性解析.

压敏电阻(Varistor)是一种具有非线性伏安特性的电压敏感型电子元件,其功能是通过电阻值随电压变化的特性实现对电路系统的过压保护。其基本原理建立在半导体材料的特殊结构特性上,以氧化锌(ZnO)为基体材料,掺杂少量其他金属氧化物(如Bi?O?、Co?O?等),经高温烧结形成多晶结构。在微观层面,氧化锌晶粒与晶界层构成类似PN结的势垒结构,正常电压下晶界层的高电阻特性使压敏电阻呈现兆欧级阻值;当施加电压超过阈值(压敏电压)时,空调压敏电阻,晶界势垒被击穿,载流子通过隧道效应或热激发越过势垒,导致电阻骤降至欧姆级,三相压敏电阻,形成低阻通路以泄放浪涌电流。
**非线性特性解析**
压敏电阻的伏安特性曲线可分为三个区域:
1.**预击穿区**(低电压区):电压低于阈值时,晶界势垒阻挡载流子迁移,漏电流(微安级),呈现近似绝缘体的线性特性。
2.**击穿区**(工作区):电压达到阈值后,晶界势垒发生雪崩击穿,电流随电压呈指数级增长(遵循I=KV^α关系,α为非线性系数,典型值20-50),电阻骤降3-5个数量级,实现电压钳位。
3.**回升区**(高电流区):超大电流导致晶粒发热,材料本征电阻主导,特性回归线性。
这种非线性源于势垒击穿的阈值效应与多晶结构的协同作用,使其具备自恢复特性:撤去过压后,晶界势垒可自行重建。此外,压敏电阻的双向对称特性使其可抑制正负极性浪涌,但受限于响应时间(纳秒级)和能量吸收容量,需配合其他保护器件使用。其非线性特性广泛应用于电源系统、通信设备及电子电路的瞬态过压防护,是抑制雷击、开关浪涌等瞬态干扰的元件。


浪涌吸收器的限制电压(Clamping Voltage)及其对设备保护的影响.

浪涌吸收器的限制电压(ClampingVoltage)是衡量其保护性能的参数,指浪涌发生时设备可将电压抑制的值。当瞬态过电压(如雷击、电网波动)超过此阈值时,压敏电阻选型,吸收器迅速导通并将多余能量泄放至地,确保后端设备承受的电压不超过该限值。这一参数直接决定设备在浪涌冲击下的安全边界。
限制电压对设备保护的影响
1.电压抑制能力
限制电压越低,浪涌吸收器对过电压的钳位效果越强。例如,限制电压为400V的吸收器比600V的能更有效降低设备端电压。但过低的限制电压可能导致吸收器频繁动作,缩短其寿命,尤其在电网波动频繁的场景中。
2.与设备耐受力的匹配
设备的绝缘耐压水平需高于限制电压。若设备耐受电压为1000V,而吸收器限制电压为1200V,则保护失效。通常建议选择限制电压低于设备耐压值30%以上的型号。例如,敏感电子设备(耐压500V)应匹配限制电压≤350V的器件。
3.能量泄放与寿命平衡
限制电压与浪涌吸收器的导通速度及能量吸收能力相关。低压限制器件需承受更大的瞬态电流,可能加速元件老化。因此,需结合能量容量(焦耳值)综合选型:高压场景(如工业电网)可选择稍高限制电压但高焦耳值的型号,以延长使用寿命。
选型建议
-敏感设备(如通信模块、芯片):优先选择限制电压≤设备耐压50%的TVS二极管或多层压敏电阻,响应时间≤1ns。
-普通设备(家用电器):可采用限制电压600V以下的MOV(金属氧化物压敏电阻),兼顾成本与防护。
-多级防护:在配电系统中分级部署不同限制电压的浪涌吸收器(如主配电柜用高限制电压、大容量型号,末端设备前使用低压限制器件),实现能量逐级泄放。
综上,限制电压是浪涌防护设计的基准参数,压敏电阻,需结合设备特性、应用场景及吸收器寿命进行权衡。单一追求低压限制可能引发保护器过早失效,而忽略匹配性则会导致设备暴露于风险中。实际应用中需配合响应时间、通流容量等参数进行系统化设计。


氧化锌压敏电阻的残压比(K=Ures/UN)是衡量其保护性能的参数,定义为器件在承受瞬态过电压时产生的残压(Ures)与其标称电压(UN)的比值。该参数直接反映了压敏电阻在限压过程中的效能:K值越低,表明其将过电压钳位至更低水平的能力越强,从而为被保护设备提供更优的防护。例如,当K=1.5时,压敏电阻可将超过标称电压50%的过电压限制在1.5倍UN以下,显著降低设备绝缘承受的电压应力。
在防雷设计中,残压比的选择直接影响系统安全性与经济性。雷电或操作过电压的幅值可达数千伏,氧化锌压敏电阻通过其非线性伏安特性迅速导通,将过电压能量泄放并将残压控制在安全阈值内。较低的K值(如1.2-1.8)能更有效保护精密电子设备,但需权衡其耐受冲击次数和使用寿命。对于电力系统等大通流场景,通常选择略高K值(如2.0-2.5)以提升能量吸收能力,同时通过多级防护弥补残压限制的不足。
实际应用中需结合系统特性优化设计:1)前级采用气体放电管泄放大部分雷电流,后级压敏电阻进一步降低残压;2)依据被保护设备的绝缘耐受电压(如IEC标准中1.2/50μs波形下的耐压值)选择适配的K值,确保Ures低于设备耐压等级;3)考虑长期老化特性,预留20%-30%电压裕度。研究表明,残压比降低10%可使设备寿命延长约15%,但需增加压敏电阻体积或并联数量。因此,防雷设计需在残压比、通流容量、成本及可靠性间取得平衡,通过测试验证多级配合的协同效应。


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