近年来，无铅压电陶瓷新体系的构建、压电铁电性能的强化以及相变机制的研究取得了长足的进步，这为无铅压电陶瓷的实用化奠定了实践和理论基础.对于BNT基及KNN基陶瓷来说，压电陶瓷片联系方式，经过细致的组分筛选，可以获得退极化温度高、压电性能优良且温度稳定性好的陶瓷配方，压电陶瓷片批发，以用于制作换能器、传感器等器件.表9列出了部分无铅压电陶瓷器件.由表9可知，选取合适的材料参数，可以获得性能良好的无铅器件;部分无铅压电陶瓷器件具有可比拟于铅基器件的性能，在一些中低端领域有潜在的实用性.7 研究展望近年来，无铅压电陶瓷的研究和开发取得了长足进步，获得了一些性能良好的无铅压电陶瓷体系，部分配方在某些领域具有了一定的实用化前景.相
比于铅基PZT陶瓷，无铅压电陶瓷在晶体结构、电子
结构以及相变特性等方面具有自身的特点.
电流/电荷控制型压电陶瓷执行器驱动电源源于Comstock和Newcomb与Flinn的研究工作，由于能降低叠堆型压电陶瓷执行器的滞后现象，实现线性驱动，得到深入研究。但是电流/电荷控制型压电陶瓷执行器驱动电源存在零点漂移，阜阳压电陶瓷片，低频特性差，限制了其应用
电流/电荷控制型压电陶瓷执行器驱动电源源于Comstock和Newcomb与Flinn的研究工作，由于能降低叠堆型压电陶瓷执行器的滞后现象，实现线性驱动，得到深入研究。但是电流/电荷控制型压电陶瓷执行器驱动电源存在零点漂移，低频特性差，限制了其应用[6
氧化物掺杂改性 从铅基陶瓷发展历程可知，氧化物掺杂改性是提高PZT陶瓷电学性能的必要途径，是PZT陶瓷实用化的关键和基础.如未掺杂的准同型相界(MPB)组成的Pb(Ti0.48Zr0.52)O3陶瓷d33仅为223pC/N，而在La，Nb等施主掺杂改性后，其d33升高至274~710pC/N，从而满足实际应用的要求.类似地，压电陶瓷片价格低，氧化物掺杂改性对BNT基陶瓷压电铁电性能的影响也被广泛研究.表4列出了氧化物掺杂改性的BNT基陶瓷的压电性能.从表4可以看出，类似于氧化物改性的PZT陶瓷，受主和施主离子掺杂改性将导致BNT基陶瓷压电性质的/硬化0和/软化0.Mn和Co一般显示出受主掺杂效应.Co掺杂提高了机械品质因数Qm，压电性能略为降低;与Co稍有不同，Mn掺杂使Qm提高，也改善了压电性能，这可能是由于陶瓷致密度的改善和Mn元素本身的多价态特性.
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