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 在阵列制作的工艺过程中，有许多中间环节的电气性能直接影响到产品的终性能，必须加以检测。如层间的接触电阻，电极间的电容等。为了检测这些中间环节的电气性能，会在正常显示屏电气线路以外的区域，专门设计一些检测中间性格的电气单元（Test Element Group），并通过专门的TEG 检测设

阵列电路制作完成后，其电气性能如何需要作阵列电测，以挑出有缺陷的屏，不让其流到后面的工序，减少材料的损失。

阵列电测大致分为电荷检测、电子束检测和光学检测三种检测方法。这三种检测方法各有优劣。目前天马采用光学的检测方法

成盒就是将CF 和TFT 玻璃基板对贴、粘结起来，同时要在两个玻璃基板间的间隙中（盒中）放入液晶并控制盒的厚度。传统的成盒工艺是先完成空盒制作，然后灌注液晶。现在的 ODF（One Drop Filling）工艺是先在TFT 或CF玻璃基板上滴下液晶，然后在真空环境下对贴制盒，Z后经紫外固化和热固化后成盒。

ODF成盒工艺可以分成四块：衬垫料喷洒，边框料、银点料、液晶涂布，真空环境下对贴制盒，梅州显示屏控制系统，紫外固化和热固化。

TFT-LCD open cell制程一般分为前段、中段和后段制程，前段制程主要是进行TFT玻璃的制作，这与半导体制程非常相似；中段制程主要指将TFT玻璃与彩色滤光片贴合，并加上上下偏光板；后段制程指将驱动IC和印刷电路板压合至TFT玻璃，并完成我们所熟知的open cell

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STN LCD比TN LCD的视角更宽，而且除笔段型和字符型的显示以外，也可以做点阵型。STN LCD搭配半透或者反射的偏光片时，可以不加背光直接显示，降低成品的功耗。而且LCD还可以嵌入简单的触控功能，将显示与触控功能二合为一，是物理按键面板的上佳替代方案。

现已实现产业化的tft类型包括：非晶硅tft（a-si tft）、多晶硅tft（p-si tft）、单晶硅tft（c-si tft）几种。目前使用Z多的仍是a-si tft。a-si tft的制造工艺是先在硼硅玻璃基板上溅射栅极材料膜，经掩膜曝光、显影、干法蚀刻后形成栅极布线图案。

tft阵列工艺是tft-lcd制造工艺的关键，也是设备投资Z多的部分。整个工艺要求在很高的净化条件（例如10级）下进行。

一般掩膜曝光用步进曝光机。第二步是用pecvd法进行连续成膜，形成sinx膜、非掺杂a-si膜，掺磷n+a-si膜。然后再进行掩膜曝光及干法蚀刻形成tft部分的a-si图案。第三步是用溅射成膜法形成透明电极（ito膜），再经掩膜曝光及湿法蚀刻形成显示电极图案。第四步栅部绝缘膜的接触孔图案形成则是使用掩膜曝光及干法蚀刻法。第五步是将al等进行溅射成膜，用掩膜曝光、蚀刻形成tft的源极、漏极以及信号线图案。Z后用pecvd法形成保护绝缘膜，智能显示屏控制系统电话，再用掩膜曝光及干法蚀刻进行绝缘膜的蚀刻成形（该保护膜用于对栅极以及信号线电部和显示电极的保护）。至此，整个工艺流程完成。

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TN面板是一种常用的液晶面板，TN扭曲向列型液晶，其液晶板两端在加电压和不加电压时，液晶分子可以发生90°的扭转。利用TN液晶制造的液晶显示屏称为TN型液晶屏。实际上TN型液晶屏可以分为采用静态驱动或无源驱动，智能显示屏控制系统批发，主要用于显示字符及简单图像的TN型笔段式、字符式及点阵式液晶显示屏，以及采用有源矩阵驱动方式（TFT薄膜场效应管）驱动的TN显示屏，也即我们通常所说的普通TFT液晶显示屏。一般来说，在没有特指的情况下，所说到的TN型液晶显示屏，是指采用静态驱动或无源驱动的笔段式、字符式及点阵式液晶显示屏，这类液晶屏多为黑白显示液晶屏。

TFT-LCD主要的三段制程

①前段Array

前段部分的Array 制程和半导体制程相似，但是不同的是将薄膜电晶体制作在玻璃之上，而不是矽晶圆上面。

②中段Cell

中段部分的Cell ，是以前段的Array玻璃作为基板，和彩色的滤光片玻璃基板相结合，并且在两片玻璃基板之间灌入液晶(LC)。

③后段Module Assembly (模组组装)

后段模组的组装制程则是将Cell制程之后的玻璃和其他的如电路、外框、背光板等等多种零组件组装生产的作业。

液晶显示屏的构造就如同三明治一样，将液晶夹杂在两片玻璃基板之间，这两片玻璃基板呢，就是TFT Array玻璃和彩色的滤光片。 在TFT Array玻璃的上面有着无数的画素(pixel)排列着，而彩色的滤光片则是画面颜色的重要来源，液晶呢便夹杂在TFT Array以及彩色的滤光片之间。 当电压在TFT(晶体管)的时候，液晶转向，智能设备显示屏控制系统联系方式，那么光线便穿过了液晶在面板上面产生了一个画素，而此光源呢，则是由背光模块所负责提供的。

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