陶瓷靶材
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而未米的0.18um}艺甚至0.13m工艺，所需要的靶材纯度将要求达到5甚至6N以上。铜与铝相比较，铜具有更高的抗电迁移能力及更低的电阻率，能够满足！导体工艺在0.25um以下的亚微米布线的需要但却带米了其他的问题：铜与有机介质材料的附着强度低．并且容易发生反应，导致在使用过程中芯片的铜互连线被腐蚀而断路。
为了解决以上这些问题，需要在铜与介质层之间设置阻挡层。阻挡层材料一般采用高熔点、高电阻率的金属及其化合物，因此要求阻挡层厚度小于50nm，与铜及介质材料的附着性能良好。铜互连和铝互连的阻挡层材料是不同的．需要研制新的靶材材料。铜互连的阻挡层用靶材包括Ta、W、TaSi、WSi等．但是Ta、W都是难熔金属．制作相对困难，如今正在研究钼、铬等的台金作为替代材料。
为了形成高质量图像，聚合色粉被广泛使用，以代替惯常使用的粉碎色粉。聚合色粉允许点的，从而出色地由数字信息获得印刷物，由此得到高质量的印刷物。0003和改进形成精细分配的色粉颗粒、使色粉粒径均一、使色粉颗粒呈球形的技术、以及从粉碎色粉到聚合色粉的转变相一致地，在电子成像装置比如激光束打印机等的成像装置中，需要开发出一种导电辊，其赋予色粉以高静电充电特性。
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