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TFT-LCD open cell前段制程与半导体制程非常相似，主要分成四个步骤：

1.利用沉淀形成gate metal。首先在玻璃基板上涂布一层金属，然后涂上光阻胶，后通过暴光、显影、蚀刻和除胶而形成gate metal。涂布的金属材料主要成分为：钛（TI）、铝（AL）、钼（MO）和铬（CR）以及其混合物。

2.沉淀SI3N4（氮化硅）、a-SI（非晶硅）和N+a-si（N型硅）。

首先利用PECVD ( Plasma Enhanced Chemical Vapor Deition ) 技术分别涂布一层SI3N4、N+a-si和a-si，然后在N+a-si和a-si上涂布光阻胶，通过暴光、显影、蚀刻和除胶而形成所需形状。PECVD指的是等离子体增强化学气相沉积法，原理是借助微波或射频等使含有薄膜组成原子的气体电离，商用净水器智能控制显示模块改造，在局部形成等离子体，而等离子体化学活性很强，很容易发生反应，在基片上沉淀出所期望的薄膜。 SI3N4、N+a-si和a-si三种材料充当的角色分别为：gate端和液晶存储电容的电解质、N型半导体和P型半导体。

液晶显示器在完成了制屏工艺后，还需要绑定驱动电路等部件才能实现显示。将液晶屏、驱动电路、柔性线路板（FPC)、印刷电路板板(PCB)、背光源、结构件绑定组装在一起的工艺称为液晶显示器的模块工艺，又称为模组工艺。根据绑定IC方式的不同，液晶显示模块工艺又可以分为：COB工艺、TAB工艺、COG工艺和COF工艺。

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目前的液晶显示器广泛采用的是底栅结构。因为液晶显示的被动发光器件，即显示器背面需要一个背光源，在底栅结构中不透光的栅极金属层能很好地把来自背光的光遮挡住，避免光线照到硅岛上产生载流子而影响薄膜晶体管的关态电流特性。目前面板厂都广泛采用背沟道（BCE）刻蚀结构，一方面是其电学特性能满足显示器的要求，另一方面该工艺在设计和技术上有所提升。

镀膜/Sputter:在近似真空的环境下，用电场加速惰性元素离子，轰击金属靶材，惠州智能控制显示模块，通过溅射沉积（sputter）在玻璃基板上形成一层金属薄膜。

靶材接阴极，玻璃接正极或接地，净水器智能控制显示模块联系方式，导入氙气。电子在电场的作用下加速飞向玻璃的过程中与Ar原子发生碰撞，电离出大量的Ar+和e-，形成等离子体(电浆)。 Ar+在电场的作用下加速轰击靶材（什么金属？如何轰击？），溅射出大量的靶材原子，呈中性的靶原子(或分子)玻璃沉积成膜;

光刻形成的ITO有3个作用：

1）TFT处ITO，用作像素电极，与彩膜基板上的共用电极一起形成液晶像素的上下电极，控制液晶分子的旋转实现显示。

2）是存储电容上的ITO为存储电容的另一个电极，与次光刻的金属电极一起形成了存储电容的上下电极，两电极之间的介质层为绝缘层和钝化层。

3）外引线处的ITO为栅线和信号线金属的保护层，为防止金属电极直接暴露在大气下氧化，在外引线暴露金属电极的部分覆盖上ITO起到保护的作用。

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数据耦合。如一个功能模块访问另一个功能模块，被访问的功能模块的输入和输出都是数据项参数，则这两个功能模块为数据耦合。

非直接耦合。若两个功能模块没有直接关系，他们之间的联系完全是通过主程序的控制和调用来实现的，便称这两个功能模块为非直接耦合，独立性Z强。

上面只是对耦合机制进行了一个分类。原则上讲，功能模块化设计总是希望功能模块之间的耦合表现为非直接耦合方式。但是，由于问题所固有的复杂性和空间方面的考虑，有时则要根据实际情况，全*权衡，选用其它类型的耦合。

LED显示屏模块的优点

LED显示屏模块具备许多优点，使其在众多显示技术中脱颖而出：

高亮度：LED显示屏具有较高的亮度，能够在阳光直射的环境下依然保持良好的可视性。

低能耗：相较于传统显示技术，LED显示屏的能耗更低，能够有效降低使用成本。

长寿命：LED灯珠的使用寿命一般可达到数万小时，减少了更换频率和维护成本。

色彩丰富：LED显示屏能够呈现丰富的色彩，尤其是全彩显示屏，能够展示更多的视觉效果。

轻便易安装：LED模块设计轻巧，便于运输和安装，适应多种场合的需求。

在色滤光镜本体还没被制作成型以前，就先把构成其主体的材料加以染色，之后再加以灌膜制造。这种工艺要求有非常高的制造水准。但与同其他普通的LCD显示屏相比，用这种类型的制造出来的LCD，无论在解析度，色彩特性还是使用的寿命来说，都有着非常优异的表现。从而使LCD能在高分辨率环境下创造色彩斑斓的画面。智能设备显示屏控制模块生产厂家

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