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车载 TFT 模块的选型需重点关注抗振性和抗电磁干扰能力,同时宽温运行特性也是必备条件,以适应复杂的行车环境。
工业级 TFT 模块要满足 7×24 小时不间断运行的需求,防尘防潮的护等级和稳定的信号处理能力是关键考量因素。
手持终端和智能穿戴设备适合搭配小尺寸、低功耗的 TFT 模块,轻薄的结构设计也能有效提升设备的便携性。
户外使用的 TFT 模块需选择高亮背光和抗眩光面板,高亮度可对抗强光直射,抗眩光处理则能减少反光对观看的影响。
早期 TFT 模块采用 CCFL 背光,含且寿命仅 1 万–2 万小时,现已被环保节能的 LED 背光替代。
Mura 现象是 TFT 屏的常见瑕疵,由生产过程中压力不均导致,表现为屏幕上的暗斑或水波纹。
ITO 电极是 TFT 屏的透明导电层,商用净水器智能控制显示模块厂家,剧烈冲击或弯折易导致电极断裂,出现线条状黑屏故障。
TFT 模块的功耗主要来自背光系统,调节背光亮度是降低整机功耗的Z有效方式。
车规级 TFT 模块需通过振动测试,模拟车辆行驶中的颠簸路况,商用净水器智能控制显示模块定制,确保显示信号稳定无中断。
用 TFT 屏对色彩度要求极高,需还原人体组织的真实色泽,辅助医生做出准确诊断。
阳光下可读技术通过提升背光亮度、优化偏振片效率实现,比普通高亮屏更节能,净水器智能控制显示模块找哪家,续航更持久
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TFT-LCD open cell前段制程与半导体制程非常相似,主要分成四个步骤:
1.利用沉淀形成gate metal。首先在玻璃基板上涂布一层金属,然后涂上光阻胶,后通过暴光、显影、蚀刻和除胶而形成gate metal。涂布的金属材料主要成分为:钛(TI)、铝(AL)、钼(MO)和铬(CR)以及其混合物。
2.沉淀SI3N4(氮化硅)、a-SI(非晶硅)和N+a-si(N型硅)。
首先利用PECVD ( Plasma Enhanced Chemical Vapor Deition ) 技术分别涂布一层SI3N4、N+a-si和a-si,然后在N+a-si和a-si上涂布光阻胶,通过暴光、显影、蚀刻和除胶而形成所需形状。PECVD指的是等离子体增强化学气相沉积法,原理是借助微波或射频等使含有薄膜组成原子的气体电离,在局部形成等离子体,而等离子体化学活性很强,很容易发生反应,在基片上沉淀出所期望的薄膜。 SI3N4、N+a-si和a-si三种材料充当的角色分别为:gate端和液晶存储电容的电解质、N型半导体和P型半导体。
液晶显示器在完成了制屏工艺后,还需要绑定驱动电路等部件才能实现显示。将液晶屏、驱动电路、柔性线路板(FPC)、印刷电路板板(PCB)、背光源、结构件绑定组装在一起的工艺称为液晶显示器的模块工艺,又称为模组工艺。根据绑定IC方式的不同,液晶显示模块工艺又可以分为:COB工艺、TAB工艺、COG工艺和COF工艺。
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STN LCD比TN LCD的视角更宽,而且除笔段型和字符型的显示以外,也可以做点阵型。STN LCD搭配半透或者反射的偏光片时,可以不加背光直接显示,降低成品的功耗。而且LCD还可以嵌入简单的触控功能,将显示与触控功能二合为一,是物理按键面板的上佳替代方案。
现已实现产业化的tft类型包括:非晶硅tft(a-si tft)、多晶硅tft(p-si tft)、单晶硅tft(c-si tft)几种。目前使用Z多的仍是a-si tft。a-si tft的制造工艺是先在硼硅玻璃基板上溅射栅极材料膜,经掩膜曝光、显影、干法蚀刻后形成栅极布线图案。
tft阵列工艺是tft-lcd制造工艺的关键,广东智能控制显示模块,也是设备投资Z多的部分。整个工艺要求在很高的净化条件(例如10级)下进行。
一般掩膜曝光用步进曝光机。第二步是用pecvd法进行连续成膜,形成sinx膜、非掺杂a-si膜,掺磷n+a-si膜。然后再进行掩膜曝光及干法蚀刻形成tft部分的a-si图案。第三步是用溅射成膜法形成透明电极(ito膜),再经掩膜曝光及湿法蚀刻形成显示电极图案。第四步栅部绝缘膜的接触孔图案形成则是使用掩膜曝光及干法蚀刻法。第五步是将al等进行溅射成膜,用掩膜曝光、蚀刻形成tft的源极、漏极以及信号线图案。Z后用pecvd法形成保护绝缘膜,再用掩膜曝光及干法蚀刻进行绝缘膜的蚀刻成形(该保护膜用于对栅极以及信号线电部和显示电极的保护)。至此,整个工艺流程完成。
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