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光刻形成的ITO有3个作用：

1）TFT处ITO，用作像素电极，与彩膜基板上的共用电极一起形成液晶像素的上下电极，控制液晶分子的旋转实现显示。

2）是存储电容上的ITO为存储电容的另一个电极，与次光刻的金属电极一起形成了存储电容的上下电极，两电极之间的介质层为绝缘层和钝化层。

3）外引线处的ITO为栅线和信号线金属的保护层，为防止金属电极直接暴露在大气下氧化，在外引线暴露金属电极的部分覆盖上ITO起到保护的作用。

下层TFT玻璃压合前处理。首先使用离子水洗净前段的TFT 玻璃，仪表仪器控制显示模块更新，然后在TFT玻璃表面上涂布一层有机高分子配向膜，再通过辗压形成所谓的PI配向膜，其主要作用是为液晶分子制作一条的、有固定角度的通道来控制其在电压作用下的旋转方向和角度。然后在TFT玻璃上涂布长方形的密封胶，以利于TFT玻璃与彩色滤光片的粘合以及防止液晶外漏，而这个长方形将会是该open cell的可视区，蒸烤箱控制显示模块批发，Z后在胶框内注入液晶。

上层彩色滤光片压合前处理。首先，在彩色滤光片基板上涂布有机高分子材料，蒸烤箱控制显示模块联系方式，再通过辗压形成配向膜。然后在彩色滤光片中喷洒spacer，以保证彩色滤光片与TFT基板的空隙。

将TFT玻璃基板和彩色滤光片进行压合，并在压合处边框部分涂上导电胶，以保证外部电子能进入液晶层。压合后由上向下的顺序为：彩色滤光片、配向膜、液晶、配向膜和TFT玻璃。

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薄膜晶体管（TFT）是平板显示器制造行业的技术，其价值相当于硅芯片对计算机行业的影响。

在20世纪60年代发明液晶显示技术的初期，使用简单的X-Y电极寻址方式对液晶显示器像素进行寻址，显示图像存在大量的串扰，即一个像素会被邻近像素的变化所干扰；后来提出了在每一个X-Y电极的交叉点设计一个具有开关作用的TFT薄膜晶体管和一个电容，用电容来存储和保持施加在该像素液晶上的电压。

Z早都是使用CdSe作为 TFT的有源层，1980年前后开始研究使用非晶硅材料做有源层的TFT特性。相比纯非晶硅，氢化非晶硅（a-Si：H）能通过施主和受主掺杂来分别形成N型和P型半导体材料，氢能钝化在非晶硅散乱网格中的由位于禁带中的大量悬挂键引起的缺陷态，钝化过程使得非晶硅具有类似晶体硅的特性。

尽管CdSe比a-Si：H的迁移率更高，但它是一种多晶态化合物半导体，它的特性受晶粒尺寸、晶界界面态和化学计量比等因素影响，且对周围的水汽和氧气敏感。a-Si：H无晶界、通过氢的钝化作用既不改变本体特性，又提高了其电学特性。a-Si：H TFT由于具有优良的电学特性、可在玻璃基板上制作，能部分集成周边驱动电路等特点，目前已经是应用Z广、工艺Z稳定、适合于批量生产的TFT技术。

氢化非晶硅薄膜晶体管根据有源层、栅极和漏极的位置可以划分为交错型、共面性、反交错型和面型。

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TN型液晶显示屏的结构

目前，湛江控制显示模块，常用的计算器、数字仪表、电子钟等所用的显示器件都是TN 型器件。

将上下两块制作有透明电极的玻璃叠放在一起，其间隔为 10mm左右，四周用环氧树脂封接在一起，封接边框上留有一个注入口，在真空环境下将液晶材料通过该注入口注入到液晶盒内，然后用树脂胶将注入口封堵，再在其上下表面各贴上一片偏振方向相互垂直的偏光片，底部加上一片反射板，液晶显示器件就算制成了。

TN显示屏内，在玻璃内表面还涂有定向膜（配向膜），并进行了定向处理，在盒内液晶分子沿玻璃表面平行排列。由于上下2片玻璃内表面定向层定向处理的方向互相垂直，因此，液晶分子在2片玻璃之间呈 90°扭曲，这就是扭曲向列液晶显示器件名称的由来。

TFT-LCD 的工厂从以前的1代工厂演进到了现今的7.5代工厂，各个世代的厂房差别就是在于玻璃基板的一个尺寸。玻璃基板越大，便就能切割出更大尺寸的面板。举例来说呢，一片7.5代的玻璃基板尺寸达到了195公分 X 225公分，它的大小更是大于一张加大的双人床，它呢就可以被切割成八片42寸的面板，或是6片46寸的面板。

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