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两个偏光片平面上的槽互相垂直（相交成 90°），也就是说，若一个平面上的分子南北向排列，旋钮屏显示模块升级，则另一平面上的分子东西向排列，位于两个平面之间的分子被强迫进入一种90°扭转的状态，由于光线顺着分子的排列方向传播，所以光线经过液晶时也被扭转 90°。

在不加电场的情况下，入射光经过偏光片后通过液晶层，偏光被分子扭转排列的液晶层旋转 90°。白云区旋钮屏显示模块升级，在离开液晶层时，工控设备控制显示模块改造，其偏光方向恰与另一偏光板的方向一致，所以光线能顺利通过，在这种情况下，工控设备控制显示模块哪家好，液晶盒相当于是透明的，我们可以看到反射板的电极。

当液晶上加一个电压时，分子便会重新垂直排列，珠海控制显示模块，使光线能直射出去，而不发生任何扭转，使器件不能透光。在这种情况下，由于没有光反射回来，我们也就看不到反射板的电极，于是在电极部位出现黑色。

由此可见，加电将光线阻断（有显示），不加电则使光线射出（无显示）。只要将电极制成不同的字的形状，就可以看到不同的黑色字。这种黑字，不是液晶的变色形成的，而是光被遮挡或射出的结果。

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薄膜晶体管（TFT）是平板显示器制造行业的技术，其价值相当于硅芯片对计算机行业的影响。

在20世纪60年代发明液晶显示技术的初期，使用简单的X-Y电极寻址方式对液晶显示器像素进行寻址，显示图像存在大量的串扰，即一个像素会被邻近像素的变化所干扰；后来提出了在每一个X-Y电极的交叉点设计一个具有开关作用的TFT薄膜晶体管和一个电容，用电容来存储和保持施加在该像素液晶上的电压。

Z早都是使用CdSe作为 TFT的有源层，1980年前后开始研究使用非晶硅材料做有源层的TFT特性。相比纯非晶硅，氢化非晶硅（a-Si：H）能通过施主和受主掺杂来分别形成N型和P型半导体材料，氢能钝化在非晶硅散乱网格中的由位于禁带中的大量悬挂键引起的缺陷态，钝化过程使得非晶硅具有类似晶体硅的特性。

尽管CdSe比a-Si：H的迁移率更高，但它是一种多晶态化合物半导体，它的特性受晶粒尺寸、晶界界面态和化学计量比等因素影响，且对周围的水汽和氧气敏感。a-Si：H无晶界、通过氢的钝化作用既不改变本体特性，又提高了其电学特性。a-Si：H TFT由于具有优良的电学特性、可在玻璃基板上制作，能部分集成周边驱动电路等特点，目前已经是应用Z广、工艺Z稳定、适合于批量生产的TFT技术。

氢化非晶硅薄膜晶体管根据有源层、栅极和漏极的位置可以划分为交错型、共面性、反交错型和面型。

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在彩色滤光片（ CF ）基板上形成彩色滤光图案的工艺

彩色滤光片着色部分的形成方法有染料法、颜料分散法、印刷法、电解沉积法、喷墨法。目前以颜料分散法为主。

颜料分散法的是将颗粒均匀的微细颜料（平均粒径小于 0.1 μ m ） (R 、 G 、 B 三色 ) 分散在透明感光树脂中。然后将它们依次用涂敷、曝光、显影工艺方法，依次形成 R. G. B 三色*案。在制造中使用光蚀刻技术，所用装置主要是涂敷、曝光、显影装置。

为了防止漏光，在 RGB 三色交界处一般都要加黑矩阵（ BM ）。以往多用溅射法形成单层金属铬膜，现在也有改用金属铬和氧化铬复合型的 BM 膜或树脂混合碳的树脂型 BM 。

此外，还需要在 BM 上制做一层保护膜及形成 IT0 电极 ，通讯设备控制显示模块找哪里， 由于带有彩色滤光片的基板是作为液晶屏的前基板与带有 TFT 的后基板一起构成液晶盒。所以必须关注好定位问题，使彩色滤光片的各单元与 TFT 基板各像素相对应。

液晶盒的制备工艺

在上下基板表面分别涂敷聚酰亚*膜并通过摩擦工艺，形成可诱导分子按要求排列的取向膜。之后在 TFT 阵列基板周边布好密封胶材料，并在基板上喷洒衬垫。同时在 CF 基板的透明电极末端涂布银浆。然后将两块基板对位粘接，使 CF 图案与 TFT 像素图案一一对正，再经热处理使密封材料固化。在印刷密封材料时，需留下*入口，以便抽真空灌注液晶。

近年来 ， 随着技术进步和基板尺寸的不断加大 ， 在盒的制做工艺上也有很大的改进 ，家电行业显示屏控制模块定制， 比较有代表性的是灌晶方式的改变 ， 从原来的成盒后灌注改为 ODF 法 ， 即灌晶与成盒同步进行。另外 . 垫衬方式也不再采用传统的喷洒法 ， 而是直接在阵列上用光刻法制作。

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