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传统的阴极射线管显示器，后面总是拖着一个笨重的射线管。TFT液晶屏突破了这一限制，给人一种全新的感觉。传统显示屏是通过电子发射电子束到屏幕，因而显像管的管颈不能做得很短，当屏幕增加时也必然增大整个显示器的体积。而TFT液晶屏通过显示屏上的电极控制液晶分子状态来达到显示目的，江门显示模块，即使屏幕加大，它的体积也不会成正比的增加，而且在重量上比相同显示面积的传统显示器要轻得多。

薄膜晶体管(就是我们经常所说的TFT)：经常说的TFT-LCD，其实际上指的就是这个薄膜晶体管，它的作用类似于开关，TFT能够控制IC控制电路上的信号电压，并将其输送到液晶分子中，工控设备显示模块批发，决定液晶分子偏转的角度大小，因此其是非常重要的一个部件。　　

液晶分子层：其是改变光线偏光状态重要的元素，通过电力和弹性力共同决定其排列和偏光状态。　

彩色滤光片：通过液晶分子偏转的光线只能显示不同的灰阶，但是不能提供红、绿、蓝(RGB)三原色，而彩色滤光片则由RGB三种过滤片组成，通过三者混喝调节各个颜色与亮度。液晶面板中每一个像素由红、绿、蓝3个点构成，每种颜色的点各自拥有不同的灰阶变化。　

框胶;其就是让液晶面板中上下两层玻璃基板能够牢固的黏在一起，并将整个内部系统与外接“隔绝”，防止灰尘进入影响色彩效果。

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通常TFT有源材料是硅薄膜，根据硅薄膜结构不同，工控设备显示模块升级，晶体管分为非晶硅TFT（a-Si TFT）、多晶硅（p-Si TFT）和单晶硅MOSFET（c-Si MOSFET）。此外采用有机材料制备的TFT，称为有机TFT（或者OTFT）。

a-Si：TFT的典型结构形式

不同的结构形式，制作方法和电学性能也各不相同。目前，常用的是反交错型结构。栅极和源极、漏极位于半导体层的两侧，这种结构也称为底栅TFT。首先在玻璃衬底上沉积栅极金属层，然后依次沉积绝缘层、a-Si：H层、n+a-Si：H和源极、漏极金属层。

　　薄膜晶体管自上世纪60年代发明开始， 已经得到了非常广泛的推广和应用，工控设备显示模块生产厂家， 发展速度之快超乎想象。从非晶硅TFT 到多晶硅TFT， 从高温多晶硅TFT 到低温多晶硅TFT， 技术越来越成熟， 应用的对象也从只是驱动LCD 发展到既可以驱动LCD 也可以驱动OLED、甚至电子纸。随着半导体工艺的水平的不断提高，像素尺寸不断减小， 显示屏的分辨率也越来越高。

　　TFT寻址的液晶显示器以其大容量、高清晰度和全彩色的视频显示成为液晶乃至整个平板显示的主导技术，白云区工控设备显示模块定制，相关的高技术产业也成为目前的主要投资方向。TFT制造技术在以其寻址的液晶显示器中处于关键地位，它的研发历来是研究中的重点。

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STN LCD比TN LCD的视角更宽，而且除笔段型和字符型的显示以外，也可以做点阵型。STN LCD搭配半透或者反射的偏光片时，可以不加背光直接显示，降低成品的功耗。而且LCD还可以嵌入简单的触控功能，将显示与触控功能二合为一，是物理按键面板的上佳替代方案。

现已实现产业化的tft类型包括：非晶硅tft（a-si tft）、多晶硅tft（p-si tft）、单晶硅tft（c-si tft）几种。目前使用Z多的仍是a-si tft。a-si tft的制造工艺是先在硼硅玻璃基板上溅射栅极材料膜，经掩膜曝光、显影、干法蚀刻后形成栅极布线图案。

tft阵列工艺是tft-lcd制造工艺的关键，也是设备投资Z多的部分。整个工艺要求在很高的净化条件（例如10级）下进行。

一般掩膜曝光用步进曝光机。第二步是用pecvd法进行连续成膜，形成sinx膜、非掺杂a-si膜，掺磷n+a-si膜。然后再进行掩膜曝光及干法蚀刻形成tft部分的a-si图案。第三步是用溅射成膜法形成透明电极（ito膜），再经掩膜曝光及湿法蚀刻形成显示电极图案。第四步栅部绝缘膜的接触孔图案形成则是使用掩膜曝光及干法蚀刻法。第五步是将al等进行溅射成膜，用掩膜曝光、蚀刻形成tft的源极、漏极以及信号线图案。Z后用pecvd法形成保护绝缘膜，再用掩膜曝光及干法蚀刻进行绝缘膜的蚀刻成形（该保护膜用于对栅极以及信号线电部和显示电极的保护）。至此，整个工艺流程完成。

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