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2.电阻比特性

半导体器件中经常使用电导来表示沟道的导电能力。作为电导的倒数关系，可以用沟道的电阻来表示这种能力。沟道电阻越小，沟道的导电能力就越强，电流也就越大，用于TFT开态工作;沟道电阻越大，沟道的导电能力就越弱，电流也就越小，用于TFT关态工作。这样，TFT器件的沟道就等效为一个栅极电压控制下的可调电阻，TFT开关的本质就是沟道电阻在小电阻和大电阻之间切换。

TFT开关三端连接关系如图2-2所示。漏极对应的数据线电压是一个交流信号源，栅极对应的扫描线电压是一个脉冲信号源，源极对应一个像素电容。当扫描线电压提供正的开态电压。时，TFT开关等效为开态小电阻Ron;当扫描线电压提供负的关态电压V时，TFT开关等效为关态大电阻R。在开态，一个高电平(对应正的像素电压V)或低电平(对应负的像素电压)的数据线电压通过电阻R。n，对像素电容C，进行充放电。

主流的BCE型TFT器件存在两个重要构造，金属栅极、栅极绝缘层、半导体有源层之间的MIS(MetalInsulator Semiconductor)构造，以及半导体有源层和源漏极之间的欧姆接触MS(MetalSemiconductor)构造。MS构造是TFT器件作为开关使用的关键因素，MS构造是TFT器件和外接信号线的过渡区。源极和漏极之间的半导体有源层可以形成导电沟道，源极和漏极的间距称为沟道长L，垂直于L方向的是源漏极的宽度W。根据标准场效应晶体管理论，非饱和区与饱和区的源漏极电流

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TFT（薄膜晶体管）的电压特性主要指其栅极电压（Vg）对源漏电流（Ids）的控制关系，这是理解TFT作为开关器件工作原理的。其特性可概括为以下几个关键方面：

?阈值电压（Vth）?：指TFT开始导通、源漏之间出现显著电流所需的栅极电压。当栅极电压低于阈值电压时，TFT处于截止状态；高于阈值电压时，则进入导通状态。阈值电压的大小直接影响驱动电路的设计和功耗。?

?亚阈值导电?：即使栅极电压略低于阈值电压，TFT中仍存在微弱的电流，称为亚阈值电流。这一特性决定了TFT在关断状态下的漏电水平，是评估器件开关性能和功耗的重要指标。?

?饱和区与线性区?：TFT的工作状态可分为两个区域：

?线性区?：当栅极电压略高于阈值电压且漏源电压较小时，源漏电流与栅极电压呈近似线性关系。?

?饱和区?：当漏源电压增大到一定程度后，电流趋于饱和，不再随漏源电压显著增加，此时电流与栅极电压的平方成正比。TFT通常设计工作在饱和区以获得更好的电流控制能力。?

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在一般的CRT屏幕，是利用高速的电子发射出电子，打击在银光幕上的荧光粉，藉以产生亮光，来显示出画面。然而液晶显示器本身，仅能控制光线通过的亮度，本身并无发光的功能。因此，液晶显示器就必须加上一个背光板，来提供一个高亮度，而且亮度分布均匀的光源。我们在图14中可以看到，组成背光板的主要零件有灯管(冷阴极管)，反射板，导光板，旋钮屏智能控制显示模块生产厂家，prism sheet，扩散板等等。

灯管是主要的发光零件，藉由导光板，将光线分布到各处。而反射板则将光线限制住都只往TFT LCD的方向前进。后藉由prism sheet及扩散板的帮忙，将光线均匀的分布到各个区域去，提供给TFT LCD一个明亮的光源。而TFT LCD则藉由电压控制液晶的转动，控制通过光线的亮度，藉以形成不同的灰阶

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