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液晶分子的排列方向在电场的作用下发生改变，从而改变外部光源的透射率(调制)，完成电光转换。利用R-GrectorB的三基色信号的不同激发，通过红、绿、蓝三个主滤色器实现CRT彩色显象管在时间域和空间域的颜色再现。利用数字寻址技术和数字信号激励技术再现了液晶的物理特性，是一种有机化合物。

常温下，它不仅具有晶体的液态流动性，而且具有晶体的光学特性，所以被称为液晶。它的分子在电场、磁场、温度和应力等外部条件的影响下，极易发生重排。因此，液晶的各种光学性质也随之发生了变化。在外电场和磁场作用下，液晶的特异性和分子排列易受其控制，这是形成这种液晶的物理基础。这就是液晶的光电效应。

通过电信号调制的光产生LCD。在不同的电流和电场作用下，液晶分子有规律地旋转90度，产生不同的光透过率。所以，当断电或开机时，会出现明暗不一样的情况。按照这个原理，每一个像素形成的图像都可以被控制。液晶屏的物理特性是充电之后，净水器智能控制显示模块哪家好，开启，并依次排列。使光线易于通过在没有通电的情况下，这种排列是混乱的，清远智能控制显示模块，使光线无法通过，从而使液晶像闸门一样能够阻挡或让光线通过。在技术上，LCD面板包含了两片非常精细的无钠玻璃材料，他把它们称为中间一层LCD。在光束穿过这层液晶时，液晶本身会排列成行，或者不规则地扭曲，使光束被遮挡或平滑地穿过。

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　2．多晶硅薄膜（poly-Si）。多晶硅薄膜工艺主要分为两大类：

　　（1）高温工艺，指整个加工过程中温度高于900℃。高温工艺只能以昂贵的石英为衬底，TFT性能好，高温工艺只适用于中小尺寸的显示屏或投影屏系列。

　　（2）低温工艺，整个加工过程中温度低于600℃。采用低温工艺可在廉价玻璃衬底上制作较大的显示屏。低温多晶硅（LTPS）TFT由于其低功耗、轻便、薄型、提供大电流和系统集成性而被广泛地应用于有源（主动）驱动显示TFT－LCD和AMOLED中。多晶硅TFT的工艺关键是如何低成本地、大面积制备优良的多晶硅薄膜。目前，制备多晶硅材料的方法有快速退火（RTA）、准分子激光晶化（ELC）、固相晶化（SPC）、连续横向晶化（SLS）和金属诱导低温多晶硅 （MIC）技术等。

低温多晶硅LTPS TFT技术可完全解决非晶硅TFT技术不能解决的问题。特别是2000 年以后，由于a-Si TFT产能过剩，日、韩、台厂商积极投入LTPS TFT，商用净水器智能控制显示模块定制，才使LTPS TFT在未来数年内有了更多的发展机会。特别是近中小尺寸面板市场的快速增长，多晶硅TFT发展开始步入黄金时期。LTPS TFT很早就被视为下一代LCD必备的技术。

　　3．有机薄膜TFT。有机TFT的出现，将对现有非晶硅TFT形成有力的竞争是不言而喻的。它将是新一代柔性显示的技术，使用柔性显示技术制造的显示屏可以像画布一样卷曲，并可能像液晶显示器一样成为未来显示器世界的重要一员。

　　由于使用有机材料，具有可弯曲显示的特点，因此不但耐冲击，而且重量轻、体积小。不仅改变了显示器的外观，应用环境也因此大为扩展且多样化。采用类似于报纸印刷工艺的卷带工艺将显示器印刷在塑料薄膜片上，可极大地降低生产成本。

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TFT器件的开关特性既可以用开关态的电流比特性表征，也可以用开关态电阻比特性表征。

1.电流比特性

TFT器件是一个三端开关管，这三端分别是连接扫描线的栅极、连接数据线的漏极、连接像素电极的源极。在栅极控制下，漏极的数据线通过半导体沟道向源极的像素充放电。对像素充放电时的TFT工作在大电流的开态，停止充放电后，TFT工作在小电流的关态。开态电流也叫工作电流，越大越好;关态电流1也叫漏电流，净水器智能控制显示模块联系方式，越小越好。TFT器件作为开关，基本的特性要求是开态电流和关态电流之间至少有6个数量级的差异。

LTPS TFT采用顶栅结构，一方面，可以在玻璃上直接生成a-Si薄膜，有利于扩大LTPS半导体层的工艺制作范围;另一方面，可以利用栅极进行自对准工艺控制，缩小沟道长度和寄生电容，提高TFT开关的工作速度。顶栅结构用PECVD沉积栅极绝缘膜时，沟道层会受到等离子体带来的损伤。例如，介质引入的氢会对沟道产生扩散作用。

共面结构的源漏电极与栅电极形成于有源层的同一侧，不存在源漏图形化过程中对背沟道的伤害问题且工艺简单。共面结构在刻蚀源漏极时，刻蚀液体或刻蚀气体会刻蚀掉部分栅极绝缘层，导致半导体/栅极绝缘层界面特性恶化，从而影响TFT器件特性。并且，共面结构的器件源漏接触不良问题，也是限制共面结构器件应用的一个关键问题。

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