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　2．多晶硅薄膜（poly-Si）。多晶硅薄膜工艺主要分为两大类：

　　（1）高温工艺，指整个加工过程中温度高于900℃。高温工艺只能以昂贵的石英为衬底，TFT性能好，高温工艺只适用于中小尺寸的显示屏或投影屏系列。

　　（2）低温工艺，整个加工过程中温度低于600℃。采用低温工艺可在廉价玻璃衬底上制作较大的显示屏。低温多晶硅（LTPS）TFT由于其低功耗、轻便、薄型、提供大电流和系统集成性而被广泛地应用于有源（主动）驱动显示TFT－LCD和AMOLED中。多晶硅TFT的工艺关键是如何低成本地、大面积制备优良的多晶硅薄膜。目前，制备多晶硅材料的方法有快速退火（RTA）、准分子激光晶化（ELC）、固相晶化（SPC）、连续横向晶化（SLS）和金属诱导低温多晶硅 （MIC）技术等。

低温多晶硅LTPS TFT技术可完全解决非晶硅TFT技术不能解决的问题。特别是2000 年以后，家电显示屏控制系统，由于a-Si TFT产能过剩，日、韩、台厂商积极投入LTPS TFT，才使LTPS TFT在未来数年内有了更多的发展机会。特别是近中小尺寸面板市场的快速增长，多晶硅TFT发展开始步入黄金时期。LTPS TFT很早就被视为下一代LCD必备的技术。

　　3．有机薄膜TFT。有机TFT的出现，将对现有非晶硅TFT形成有力的竞争是不言而喻的。它将是新一代柔性显示的技术，使用柔性显示技术制造的显示屏可以像画布一样卷曲，奶茶蒸汽机显示屏控制系统，并可能像液晶显示器一样成为未来显示器世界的重要一员。

　　由于使用有机材料，具有可弯曲显示的特点，因此不但耐冲击，而且重量轻、体积小。不仅改变了显示器的外观，应用环境也因此大为扩展且多样化。采用类似于报纸印刷工艺的卷带工艺将显示器印刷在塑料薄膜片上，可极大地降低生产成本。

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大面积。

20世纪90年代初，代大面积玻璃基板(300毫米×400毫米)TFT-液晶显示器生产线投产。到2000年上半年，玻璃基板的面积已经扩大到680毫米×880毫米。近，950毫米×1200毫米的玻璃基板也将投入运行。原则上没有面积限制。

集成度高。

用于液晶投影的1.3英寸TFT芯片的分辨率为XGA，含有数百万像素。分辨率为SXGA(1280×1024)的16.1英寸TFT阵列非晶体硅的膜厚仅为50纳米，TABONGLASS和SYSTEMONGLASS技术的集成度、设备和供应技术的要求和技术难度都超过了传统的LSI。

功能强大。

TFTZ初作为矩阵选址电路改善了液晶光阀的特性。高分辨率显示器可以通过0-6V范围的电压调节(其典型值为0.2~4V)实现对象元的正确控制，使LCD实现高质量的高分辨率显示。TFT-LCD是人类历个显示质量超过CRT的平板显示器。现在，人们开始将驱动IC集成到玻璃基板上，TFT整体的功能更加强大，这是传统的大规模半导体集成电路无法比拟的。

低成本。

玻璃基板和塑料基板从根本上解决了大型半导体集成电路的成本问题，为大型半导体集成电路的应用开辟了广阔的应用空间。

过程灵活。

激光退火技术除了采用溅射、CVD(化学气相沉积)、MCVD(分子化学气相沉积)等传统工艺成膜外，还开始应用于非晶膜、多晶膜和单晶膜。不但能做硅膜，还能做其它Ⅱ-v族和ⅲ-v族半导体膜。

应用广泛。

基于TFT技术的LCD平板显示器是信息社会的支柱产业，也可以应用于薄膜晶体管有机电致发光(TFT-OLED)平板显示器的快速发展。

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 影响TFT开关品质的一个重要因素是栅极金属和源极金属之间的寄生电容C.引起的TFT充放电时的像素电压误写入。当栅极电压，从高电平的V。，瞬间下降到低电平的。时，的变换量?被寄生电容Gg，耦合到像素电极，导致像素电压产生跳变量?，使得像素电压变为(VV)。因为V是C。耦合产生的，所以也叫馈通(Feedthrough)电压，记为。

图2-5给出了TFT关断前后瞬间像素电极相关电容参数及其电压和电量关系。其中，V，和V，分别对应像素上下相连的两根扫描线电压，V，和V，分别对应像素左右相连的两根数据线电压，Cap和Gdp2分别表示像素电极和左右相连两根数据线之间的耦合电容，G.和C，广东显示屏控制系统，分别表示像素的液晶电容和存储电容，C。，是连接扫描线的栅极和连接像素电极的源极之间的寄生电容。TFT关断瞬间的像素总电荷守恒，所以图2-5(a)所示的TFT关断前瞬间的像素总电荷(Qc+Qc+Qdp1+Qdp2+Q)和图2-5(b)所示的TFT关断后瞬间的像素总电容(Q.+Q.+Qn"+Q.)相等。

综合TFT开关电流特性和品质特性的结构设计

在TFT结构设计上，提高开态电流的方法是增加沟道宽度W，降低关态电流的方法是采用遮光型结构。增加W会增加TFT所占面积，降低像素开口率，还会增加Cgs，在增大扫描线和数据线阻抗的同时影响TFT品质特性。U型结构的TFT既能增加沟道宽度W，又能有效控制TFT面积和C的值。在TFT开态，的面积就是C(ON)所示的对应1/2沟道长度的虚线所包围的面积，厚度是栅极金属和有源层之间的栅极绝缘层厚度tx。

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