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在TFT开关器件中，为了提高和改善半导体层与源极、漏极的欧姆接触电阻需要增加n+非晶硅掺杂层，即非晶硅层由三层结构组成：低速沉积非晶硅(AL)、高速沉积非晶硅(AH)和掺杂n+非晶硅(n+ a-Si)，分别按照13.6%，63.7%，22.7%的比例沉积而成。其中n+ a-Si主要为了减少源极、漏极与半导体的肖特基势垒，在沟道位置必须刻蚀掉，AL结构致密，是导电的主要通道，不能进行刻蚀，需要完整保留，AH刻蚀量需要保证n+ a-Si全部刻蚀，AL不受影响，因此实验选定a-Si剩余膜厚范围在20%~75%之间，对应的TFT特性(开态、关态电流、开启电压、电子迁移率和开关电流比)的变化结果进行分析。

TFT LCD 比 TN 和 STNLCD 的显示质量更佳，由于制造工艺的原因，他的对比度高，反应速度快，能显示丰富的色彩。因此在当前的嵌入式四市场中，大量使用的就是 TFT LCD。块 LCD 屏显示图像不但需要 LCD 驱动器，还需要有相应的 LCD 控制器日。通常LCD 驱动器会以 COFICOG 的形式与 LCD 玻璃基板制作在一起，而 LCD 控制器(LCDC)则由外部电路来实现。许多 MCU 内部直接集成了 LCD 控制器，比如 RK 系列的 CPU，通过LCD 控制器可以方便地控制 STN 和 TFT 屏。

光照对TFT漏电流存在影响，在这里主要分析光照模式下不同有缘层厚度对漏电流的影响。测试环境：常温，光照5 000 cd/m2。

TFT半导体沟道在受到光照情况下形成光生载流子，即电子空穴对，电子向漏极方向移动，空穴向源极方向移动，从而形成空穴漏电流，因此光生载流子对TFT器件的漏电流影响是很明显的。

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工业应用中使用的显示屏支持在各种环境光条件下从多个角度清晰准确地观看，这一点很重要。环境越亮，仪器行业显示屏控制系统，读取典型亮度为 250 至 300 cd/m2 的标准透射式 LCD 显示屏就越困难。鑫平电子开发了可以在 800-cd/m2 和更高范围内运行的显示屏，通过为背光单元实施 LED——如有必要，结合特殊的亮度增强膜。

提高显示屏的对比度是显示屏制造商在明亮环境中提高显示屏可读性的另一种有效方式。非工业显示屏的典型对比度在 200:1 到 300:1 的范围内，当机器操作员从远处观看显示屏时，这可能不够。对比度约为 500:1 或更高的显示屏更适合工业环境。这种方法的另一个好处是它不会增加功耗。

半透半反式 LCD是照明可变环境的良好解决方案。具有透射和反射特性，半透反射式 LCD 可以选择在昏暗的灯光下使用背光（透射模式），以及在明亮的灯光下使用反射特性（反射模式）。由于不使用背光，这减少了反射模式下的功耗和热量产生。

多角度可读性是另一个关键的选择因素。在典型的工业环境中，机器操作员更有可能处于偏角而不是屏幕正前方。在这种情况下，实现专为消费类应用设计的显示屏通常效果不佳，因为从某个角度观看时会出现图像失真和颜色偏移。但是，已经采用了许多技术来改善显示屏的偏角观看效果，使其适用于工业应用。一些基于电影的技术产生水平 160o 和垂直 140o 的视角，但在某些情况下，这仍然不够。面内切换技术 (IPS)、多域垂直对齐 (MVA) 和边缘场切换 (FFS) 提供了替代方案。

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1.液晶

液晶原料是高亮TFT液晶屏的屏幕组成主体。不同器件常用的液晶原料是不同的，大部分液晶原料是由几种甚至十几种单一的液晶原料混合而成。每种液晶原料都有自己固定的透明点TL和晶点TS。所以也规定了每一个高亮TFT液晶屏都必须在TS-TL之间的一定温度范围内使用和保存。如果应用或储存温度过低，晶体会破坏明亮的TFT屏幕的固定层；但是，如果温度过高，液晶将失去其液晶状态，中山显示屏控制系统，从而失去液晶显示装置的功能。

2.玻璃基板

这是一个浮法工艺，表面非常平坦，以生产薄玻璃镜片。In2O3和二氧化硅的透明导电层，即氧化铟锡膜，沉积在表面上。通过光刻技术产生并加工完全透明的导电图案，该导电图案由清晰的图案和外部布线图案组成。因此，传统的焊接不能在外部导线上进行，只能根据导电胶条或导电胶带进行连接。如果被划伤、锯伤或蚀刻，功放显示屏控制系统，设备将会损坏。

3.偏光镜

偏振镜，又称偏光片，是用塑料薄膜原料制成的。涂上一层电光聚氨酯树脂，可以贴在液晶盒表面。前偏光片表面还有一层保护膜，使用时要撕掉。偏光镜怕高温低温，在高温低温标准下能使其去偏振或起泡。

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