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2.电阻比特性

半导体器件中经常使用电导来表示沟道的导电能力。作为电导的倒数关系，可以用沟道的电阻来表示这种能力。沟道电阻越小，沟道的导电能力就越强，电流也就越大，用于TFT开态工作;沟道电阻越大，沟道的导电能力就越弱，电流也就越小，用于TFT关态工作。这样，TFT器件的沟道就等效为一个栅极电压控制下的可调电阻，TFT开关的本质就是沟道电阻在小电阻和大电阻之间切换。

TFT开关三端连接关系如图2-2所示。漏极对应的数据线电压是一个交流信号源，栅极对应的扫描线电压是一个脉冲信号源，源极对应一个像素电容。当扫描线电压提供正的开态电压。时，TFT开关等效为开态小电阻Ron;当扫描线电压提供负的关态电压V时，旋钮屏智能控制显示模块价格，TFT开关等效为关态大电阻R。在开态，一个高电平(对应正的像素电压V)或低电平(对应负的像素电压)的数据线电压通过电阻R。n，对像素电容C，进行充放电。

主流的BCE型TFT器件存在两个重要构造，金属栅极、栅极绝缘层、半导体有源层之间的MIS(MetalInsulator Semiconductor)构造，以及半导体有源层和源漏极之间的欧姆接触MS(MetalSemiconductor)构造。MS构造是TFT器件作为开关使用的关键因素，MS构造是TFT器件和外接信号线的过渡区。源极和漏极之间的半导体有源层可以形成导电沟道，源极和漏极的间距称为沟道长L，垂直于L方向的是源漏极的宽度W。根据标准场效应晶体管理论，非饱和区与饱和区的源漏极电流

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薄膜基板工艺形成薄膜晶体管液晶(TFT)阵列及显示器像素控制所用其它电子元件。番禺区智能设备显示模块定制，每个像素一般对应三个薄膜晶体管液晶(TFT)，每个像素控制一个共同构成一个像素的“色点”。薄膜形成工艺采用与半导体制造技术相类似的CVD、Etch及PVD等工艺技术。

TTL（Transistor Transistor Logic）即晶体管-晶体管逻辑，TTL电平信号由TTL器件产生。TTL器件是数字集成电路的一大门类，它采用双极型工艺制造，具有高速度、低功耗和品种多等特点。

　TTL是信号时TFT-LCD能识别的信号，早期的数字处理芯片都是TTL的，也就是RGB直接输出到TFT-LCD。

　　TTL接口属于并行方式传输数据的接口，采用这种接口时，不必在液晶显示器的驱动板端和液晶面板端使用的接口电路，而是由驱动板主控芯片输出的TTL数据信号经电缆线直接传送到液晶面板的输人接口。由于TTL接口信号电压高、连线多、传输电缆长，因此，电路的抗干扰能力比较差，而且容易产生电磁干扰（EMI）。在实际应用中，TTL接口电路多用来驱动小尺寸（15in以下）或低分辨率的液晶面板。TTLZ高像素时钟只有28MHz。

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 影响TFT开关品质的一个重要因素是栅极金属和源极金属之间的寄生电容C.引起的TFT充放电时的像素电压误写入。当栅极电压，从高电平的V。，瞬间下降到低电平的。时，的变换量?被寄生电容Gg，耦合到像素电极，导致像素电压产生跳变量?，使得像素电压变为(VV)。因为V是C。耦合产生的，所以也叫馈通(Feedthrough)电压，记为。

图2-5给出了TFT关断前后瞬间像素电极相关电容参数及其电压和电量关系。其中，V，和V，分别对应像素上下相连的两根扫描线电压，V，和V，分别对应像素左右相连的两根数据线电压，Cap和Gdp2分别表示像素电极和左右相连两根数据线之间的耦合电容，G.和C，分别表示像素的液晶电容和存储电容，C。，是连接扫描线的栅极和连接像素电极的源极之间的寄生电容。TFT关断瞬间的像素总电荷守恒，所以图2-5(a)所示的TFT关断前瞬间的像素总电荷(Qc+Qc+Qdp1+Qdp2+Q)和图2-5(b)所示的TFT关断后瞬间的像素总电容(Q.+Q.+Qn"+Q.)相等。

综合TFT开关电流特性和品质特性的结构设计

在TFT结构设计上，提高开态电流的方法是增加沟道宽度W，降低关态电流的方法是采用遮光型结构。增加W会增加TFT所占面积，降低像素开口率，还会增加Cgs，在增大扫描线和数据线阻抗的同时影响TFT品质特性。U型结构的TFT既能增加沟道宽度W，又能有效控制TFT面积和C的值。在TFT开态，的面积就是C(ON)所示的对应1/2沟道长度的虚线所包围的面积，厚度是栅极金属和有源层之间的栅极绝缘层厚度tx。

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