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氧在热处理中的行为非常复杂。直拉单晶经300~500℃热处理会产生热施主,而经650℃以上热处理可除热施主,同时产生氧沉淀成核中心,在更高温度下处理会产生氧沉淀,形成层错和位错等诱生缺陷,利用这些诱生缺陷能吸收硅中有害金属杂质和过饱和热点缺陷的特性,发展成使器件由源区变成“洁净区”的吸除工艺,能提高器件的成品率。

材料的纯度主要取决于硅多晶的制备工艺,同时与后续工序的玷污也有密切关系。材料的均匀性主要涉及掺杂剂,特别是氧、碳含量的分布及其行为,在直拉生长工艺中采用磁场(见磁控直拉法单晶生长)计算机控制或连续送料,湖南半导体硅,使均匀性得到很大改善;对区熔单晶采用中子嬗变掺杂技术,改善了均匀性。在结构完整性方面,直拉硅单晶早已采用无位错拉晶工艺,工作主要放在氧施主、氧沉淀及其诱生缺陷与杂质的相互作用上。

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